一款基于整流管尖峰吸收电路设计

振荡的激励源，降低其产生的振荡尖峰，如幅值不影响整流管耐压安全，完全可以省去RC等吸收电路。

这里简约说一下，不管是RCD吸收还是ZVS吸收，其N*Vo/Vclamp(N为变压器初次级匝比，Vo为输出电压，Vclamp为嵌位电压)越小，吸收的损耗就越小(这里不考虑RCD吸收中的D二极管反向恢复期间回灌的能量)，如果等于0，那损耗就是0.5*Lleakage*Ip^2*fsw，这个是极限值，也就是说实际的吸收损耗肯定会大于这个数，要想降低吸收损耗，在满足MOS耐压和EMI要求下，提高吸收点电压就可以降低吸收损耗。