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一款基于整流管尖峰吸收电路设计

时间:01-15 来源:互联网 点击:

振荡的激励源,降低其产生的振荡尖峰,如幅值不影响整流管耐压安全,完全可以省去RC等吸收电路。


这里简约说一下,不管是RCD吸收还是ZVS吸收,其N*Vo/Vclamp(N为变压器初次级匝比,Vo为输出电压,Vclamp为嵌位电压)越小,吸收的损耗就越小(这里不考虑RCD吸收中的D二极管反向恢复期间回灌的能量),如果等于0,那损耗就是0.5*Lleakage*Ip^2*fsw,这个是极限值,也就是说实际的吸收损耗肯定会大于这个数,要想降低吸收损耗,在满足MOS耐压和EMI要求下,提高吸收点电压就可以降低吸收损耗。

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