兼顾高耐压与低Vce性能的650V沟槽IGBT受热捧

而逐渐变大，此状况亦符合图3的效率变化，在低电流位準时，50安培/650伏特IGBT的表现最优异。

图5 混频全桥式逆变器应用不同IGBT的效率比较

新型650伏特场截止沟槽式IGBT已于近期问世，且效能亦已通过系统厂评估，相较于旧型IGBT，新方案提供更好的DC及交流电(AC)特性，且抗短路时间及漏电流问题均有改善，可支援效率更高且更可靠的转换器系统。