技术知识：基于薄膜电阻器提供不渗透硫的解决方案

术批量应用于片状电阻器制造的最重要因素是它的成本。具有最差容差和TCR的薄膜片状电阻器的常见价位要比最接近它的厚膜同类产品高10? 100倍。为了减少这种差异，供应商需要对薄膜材料进行完全重新设计，以满足高速低成本生产的需要。它还需要开发一种高速的内联式薄膜制造工艺。降低成本的最后一步是将对薄膜材料的要求从高精度级别(0.1%的容差和25×10-6/℃的TCR)放宽到商用、通用和商品级别(1%容差和100×10-6 /℃的TCR)。这3项进步可以同时应用于价格仅为常见商品厚膜片状电阻器的10%?20%的片状电阻器。那可能是所有发展中最引人注目的一项。