技术知识：嵌入式功率系统的100V MOSFET器件

的正确选择。由于有相应的传导损耗，Rds(on)成为同步整流的关键参数。

但用于二次侧整流的MOSFET也带来了额外的风险。其中最显著的方面是动态导通。在硬开关拓扑结构中，当器件开始阻断时，可能有非常大的从漏极到源极的dv/dt值。这种dv/dt值通过容性Cgd/Cgs分压器与栅极联系起来，并可动态接通相关器件。在这种情况下将形 成短路，导致 MOSFET和变压器损耗大幅度提高。

3.最低的FOMg和FOMgd值

有效功率转换的最高需求是在面向电信和服务器电源以及类似系统的DC/DC转换领域。

转换器要求以有效方式提供最高的电流。这只有通过利用最先进的组件和拓扑结构并采用250kHz及以上的开关频率才能实现。

对于标准48V宽范围系统而言，100VMOSFET通常作为半桥或全桥拓扑结构中的原边侧主开关。由于开关频率非常高，需要低导通电阻Rds(on)，亦需要低栅电荷Qg。FOMG(Rds(on)、Qg)成为MOSFET选择的一个可靠衡量尺度。此外，与开断损耗直接相关的Qgd也同样重要。需要注意，整体效率仅增加1%将意味着MOSFET开关温度下降17℃。D类放大器也有类似的要求，在D类放大器中，MOSFET运行在半桥或全桥拓扑结构里。

100V MOSFET的应用涵盖众多要求。新型OptiMOS2 100V系列采用了先进的MOSFET技术，可为安全、快速开关和最低电阻功率MOSFET器件提供所需的特性。