工程师：开关电源PCB电磁兼容(EMC)性建模分析

开关电源的共模干扰和差模干扰对电路的影响是不同的，通常低频时差模噪声占主导地位，高频时共模噪声占主导地位，而且共模电流的辐射作用通常比差模电流的辐射作用要大得多，因此，区分电源中的差模干扰和共模干扰是很有必要的。

为了区分出差模干扰和共模干扰，首先需要对开关电源的基本耦合方式进行研究，在此基础上我们才能建立差模噪声电流和共模噪声电流的电路路径。开关电源的传导耦合主要有：

电路性传导耦合、电容性耦合、电感性耦合以及这几种耦合方式的混合。

共模和差模噪声路径模型

开关电源中由于高频变压器原副边绕组之间存在的耦合电容CW、功率管与散热器之间存在的杂散电容CK、功率管自身的寄生参数以及印制导线之间由于相互耦合而形成的互感、自感、互容、自容、阻抗等寄生参数而构成共模噪声和差模噪声通路，从而形成共模和差模传导干扰。在对功率开关器件、变压器以及印制导线的电阻、电感、电容的寄生参数模型进行分析的基础上，可获得变换器的噪声电流路径模型。

电路主要元器件的高频模型

功率开关管的内部寄生电感、电容影响到电路的高频性能，这些电容使得高频干扰漏电流流向金属基板，而且功率管与散热器之间存在着一个杂散电容CK ，出于安全的原因，散热器通常是接地的，这就提供了一条共模噪声通路。

图1 半桥变换器示意图

在PWM变换器工作时，伴随着开关器件的工作，也相应产生了共模噪声。如图1 所示，对于半桥变换器，开关管Q1 的漏级电压始终为U1，源级电位随开关状态的改变而在0 和U1/2 之间变化；Q2 的源极电位始终为0，漏极电位在0 和U1/2之间变化。为使开关管和散热器能保持良好接触，往往在开关管底部与散热器之间加上绝缘垫片或者抹上导热性能良好的绝缘硅胶。这使得A 点对地之间相当于存在一个并联耦合电容CK。当开关管Q1、Q2 的状态发生改变，使A点电位发生变化时，就会在CK 上产生噪声电流Ick，如图2所示。该电流由散热器到达机壳，而机壳也即大地与主电源线存在耦合阻抗，形成图2中虚线所示的共模噪声通路。于是，共模噪声电流在地与主电源线的耦合阻抗 Z 上产生压降，形成共模噪声。

图2 开关管对地电容形成的共模电流回路

隔离变压器是一种广泛使用的电源线干扰抑制措施。其基本作用是实现电路之间的电气隔离，解决由地线环路带来的设备间相互干扰。对于理想的变压器，它只能传送差模电流而不能传送共模电流，这是因为对于共模电流，它在理想变压器的两个端子之间的电位相同，因此不能在绕组上产生磁场，也就不能够有共模电流通路了，从而起到了抑制共模噪声的作用。

而实际的隔离变压器原边和副边之间有一个耦合电容CW，这个耦合电容是由于变压器的绕组之间存在非电介质和物理间隙所产生的，它为共模电流提供了一个通路。

如图2 所示，A 点是电路中电压变化最强的区域，它也是产生噪声的最强的区域。伴随着电路的高频开关工作，该点的高频电压通过变压器初次级之间的分布电容Cps、电源线对地线的阻抗、变压器次级印制线自身的阻抗、电感、电容等参数，而形成变压器的共模噪声路径。普通隔离变压器对共模噪声有一定的抑制作用，但因绕组间分布电容使它对共模干扰的抑制效果随频率升高而下降。普通隔离变压器对共模干扰的抑制作用可用初次级间的分布电容和设备对地分布电容之比值来估算。通常初次级间的分布电容为几百pF，设备对地分布电容为几~ 几十nF，因而共模干扰的衰减值在10~20 倍左右，即20~30dB。为了提高隔离变压器对共模噪声的抑制能力，关键是要耦合电容小，为此，可以在变压器初次级间增设屏蔽层。屏蔽层对变压器的能量传输无不良影响，但影响绕组间的耦合电容。带屏蔽层的隔离变压器除了能抑制共模干扰外，利用屏蔽层还可以抑制差模干扰，具体做法是将变压器屏蔽层接至初级的中线端。对50Hz 工频信号来说，由于初级与屏蔽层构成的容抗很高，故仍能通过变压器效应传递到次级，而未被衰减。对频率较高的差模干扰，由于初级与屏蔽层之间的容抗变小，使这部分干扰经由分布电容及屏蔽层与初级中线端的连线直接返回电网，而不进入次级回路。

因此，对变压器的高频建模非常重要，特别是变压器的许多寄生参数，例如：漏感，原副边之间的分布电容等，它们对共模EMI 电平的高低有着显着的影响，必须加以考虑。实际中，可以使用阻抗测量设备对变压器的主要参数进行测量，从而获得这些参数并进行仿真分析。

半桥电路中的直流电解电容Cin有相应的串联等效电感ESL 和串联等效电阻，这两个参数也影响到电路的高频性能，一般情况下ESL