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小贴士:开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析

时间:01-24 来源:互联网 点击:

本文将通过功率MOSFET管的工作特性,结合失效分析图片中不同的损坏形态,系统地分析过电流损坏和过电压损坏。同时根据损坏位置不同,分析功率MOSFET管的失效发生在开通的过程中或发生在关断的过程中,从而为设计工程师提供一些依据,找到系统设计中的问题,提高电子系统的可靠性。

目前,功率MOSFET管广泛地应用于开关电源系统及其他功率电子电路中。实际应用中,特别是在一些极端的边界条件下,如系统的输出短路及过载测试、输入过电压测试以及动态的老化测试中,功率MOSFET管有时候会发生失效损坏。工程师将损坏的功率MOSFET管送到半导体原厂做失效分析后,分析报告的结论通常是过电性应力EOS,却无法判断是什么原因导致MOSFET的损坏。

1 过电压和过电流测试电路

过电压测试的电路图如图1(a)所示,选用40 V的功率MOSFET:AON6240,DFN5?鄢6封装。通过开关来控制,将60 V的电压直接加到AON6240的D极和S极,熔丝用来保护测试系统,功率MOSFET损坏后,将电源断开。测试样品数量为5片。

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过电流测试的电路图如图1(b)所示,选用40 V的功率MOSFET:AON6240,DFN5?鄢6封装。首先合上开关A,用20 V的电源给大电容充电,电容C的容值为15 mF,然后断开开关A,合上开关B,将电容C的电压加到功率MOSFET管的D极和S极,使用信号发生器产生一个电压幅值为4 V、持续时间为1 s的单脉冲,加到功率MOSFET管的G极。测试样品数量为5片。

2 过电压和过电流失效损坏

将过电压和过电流测试损坏的功率MOSFET管去除外面的塑料外壳,露出硅片正面失效损坏的形态的图片,分别如图2(a)和图2(b)所示。

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从图2(a)可以看到,过电压的失效形态是在硅片中间的某一个位置产生一个击穿小孔洞,通常称为热点,其产生的原因就是因为过压而产生雪崩击穿,在过压时,通常导致功率MOSFET管内部的寄生三极管导通[1]。由于三极管具有负温度系数特性,当局部流过三极管的电流越大时,温度越高。而温度越高,流过此局部区域的电流就越大,从而导致功率MOSFET管内部形成局部的热点而损坏。硅片中间区域是散热条件最差的位置,也是最容易产生热点的地方,可以看到,图中击穿小孔洞(即热点)正好都位于硅片的中间区域。从图2(b)可以看到,在过流损坏的条件下,所有的损坏位置都发生在S极,而且比较靠近G极。这是因为电容放电形成大的电流流过功率MOSFET管,所有的电流汇集于S极,此时温度最高,最容易产生损坏。

功率MOSFET管内部由许多单元并联形成,如图3(a)所示。其等效的电路图如图3(b)所示。在开通过程中,离G极越近的区域,VGS的电压越高,流过该区域的单元电流越大,在瞬态开通过程承担的电流就越大。因此,离G极近的S极区域温度更高,更容易因过流产生损坏。

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3 过电压和过电流混合失效损坏

在实际应用中,单一的过电流和过电流的损坏通常很少发生,更多的损坏发生在过流后,由于系统的过流保护电路工作,关断功率MOSFET,而在关断的过程中常发生过压(即雪崩)。图2(c)即为功率MOSFET管先发生过流,然后进入雪崩发生过压的损坏形态。与过流损坏形式类似,过压多发生在靠近S极的地方。但是也存在因为过压产生的击穿洞坑远离S极的情况。这是因为在关断的过程,距离G极越远的位置,在瞬态关断过程中,VGS的电压越高,承担电流也越大,因此更容易发生损坏。

4 线性区大电流失效损坏

在电池充放电保护电路板上,一旦负载发生短线或过流电,保护电路将关断功率MOSFET管,以免电池产生过放电。与短路或过流保护快速关断方式不同,功率MOSFET管是以非常慢的速度关断,如图4所示。功率MOSFET管的G极通过一个1 MΩ的电阻,缓慢关断。从VGS波形上看到,米勒平台的时间高达5 ms。米勒平台期间,功率MOSFET管工作在放大状态,即线性区。

功率MOSFET管开始工作的电流为10 A,使用器件为AO4488,失效的形态如图4(c)所示。当功率MOSFET管工作在线性区时,它是负温度系数[2],局部单元区域发生过流时,同样会产生局部热点。温度越高,电流越大,致使温度进一步增加,导致过热损坏。可以看出,其损坏的热点的面积较大,这是因为该区域经过了一定时间的热量的积累。另外,破位的位置离G极较远。损坏同样发生于关断过程,破位的位置在中间区域,同样也是散热条件最差的区域。小贴士:开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析

另外,在功率MOSFET管内部,局部性能弱的单元,其封装形 式和工艺都会对破位的位置产生影响。

不仅如此,一些电子系统在起动的过程中,芯片的VCC电源(也是功率MOSFET管的驱动电源)建立比较慢。如在照明中,使用PFC的电感绕组给PWM控制芯片供电,在起动的过程中,功率MOSF

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