IGBT软开关在应用中的损耗

R2（Vce=1，200V，Ic=20A@Tc=100℃）；

　　3.对于2.2kW的应用：IHW25N120R2（Vce=1，200V，Ic=25A@Tc=100℃）；

　　4.对于2.4kW的应用：IHW30N120R2（Vce=1，200V，Ic=30A@Tc=100℃）。

　　为了测量IGBT的集电极电流Ice，应在发射极和地之间使用超低阻值的取样电阻器。图11为Vce和Ic的波形（搪瓷烧锅负载）。工作频率为29.1kHz，LC电路在谐振范围之外（电磁炉的温度模式为50℃）。

图11：1.8kW电磁炉应用（IHW20N120R2）的电压谐振电路波形

　　针对软开关应用进行优化的RC-IGBT技术可大幅度降低饱和压降造成的损耗。最大结温提升到175℃进一步增强了芯片的电流能力。关断开关损耗以及发射极关断电流几乎没有变化。