MOSFET选择策略详解

二极管再次导通，当次级电压反向时，体二极管恢复，这将增加击穿的风险。活跃二极管可能需要在每个MOSFET上跨接一个缓冲电路;低QGD/QGS比。

　　采用飞兆半导体PowerTrench技术，RSP、COSS、CRSS、和QGD/QGS比均得以降低。PowerTrench MOSFET推荐用于次级有源整流。对于相同RDS(ON)，PowerTrench的晶圆尺寸大约减小了30%，RSP减少了30%，因而在同步整流中降低了传导损耗。

　　有源OR-ing

　　最简单形式的OR-ing器件是一种二极管。当OR-ing二极管失效时，将通过不允许电流流入输入电源来对其进行保护。OR-ing二极管允许电流仅以一个方向流动。它们用于隔离冗余电源，因而一个电源的失效不会影响整个系统。消除单点失效，允许系统使用剩余的冗余电源来保持运行。然而，实现这种隔离却有难题。一旦该OR-ing二极管插入到电流路径中，则会产生额外的功率损耗和效率降低。该功率损耗会导致OR-ing二极管发热，因而需要增加散热器，降低系统的功率密度。当二极管关断时，其反向恢复会成为一个问题——该二极管必须具有软开关特性。为克服其中的一些问题，已使用了肖特基二极管。这些二极管和p-n二极管之间的一个重要差异，就是减小的正向压降和可忽略的反向恢复。普通硅二极管的压降介于0.7至1.7V之间;肖特基二极管的正向电压降在0.2至0.55V之间。虽然肖特基二极管在用作OR-ing二极管时，系统的传导损耗降低，但肖特基二极管却具有较大漏电流——这将带来传导损耗。该损耗低于硅二极管。

　　这个问题的替代解决方案是使用功率MOSFET替代肖特基二极管。这引入了额外的MOSFET栅极驱动器，增加了复杂性。MOSFET的RDSON必须非常小，从而该MOSFET的压降比肖特基二极管的正向压降低很多，这可称为有源OR-ing.现代低压MOSFET的RDSON非常低——即便采用TO-220或D2PAK封装，它也可以低至几毫欧。飞兆半导体采用PQFN56封装的FDS7650，对于30V MOSFET可以小到低于1毫欧。当OR-ing MOSFET导通时，它允许电流以任一方向流动。在失效情况下，冗余电源将产生大电流，因而OR-ing MOSFET必须快速关断。飞兆半导体的PowerTrench技术MOSFET也适用于这种应用。