实现隔离式半桥栅极驱动器的设计基础

隔离式半桥栅极驱动器可用于许多应用，从要求高功率密度和效率的隔离式DC-DC电源模块，到高隔离电压和长期可靠性至关重要的太阳能逆变器等等，不一而足。本文将详细阐述这些设计理念，探索隔离式半桥栅极驱动器解决方案在提供高性能和小尺寸解决方案方面的卓越能力。

　　隔离式半桥驱动器的功能是驱动高端和低端N沟道MOSFET（或IGBT）的栅极，通过低输出阻抗降低导通损耗，同时通过快速开关时间降低开关损耗。高端和低端驱动器需要高度匹配的时序特性，以实现精确高效开关操作。这可以减少二次开关导通前关断半桥一次开关的空载时间。实现隔离式半桥栅极驱动功能的典型方法是使用光耦合器进行隔离，后跟高压栅极驱动器IC，如图1所示。

该电路的一个潜在问题是，仅有一个隔离输入通道，而且依赖高压驱动器来提供通道间所需的时序匹配以及应用所需的死区。另一问题是，高压栅极驱动器并无电流隔离，而是依赖结隔离来分离同一IC中的高端驱动电压和低端驱动电压。在低端开关事件中，电路中的寄生电感可能导致输出电压VS降至地电压以下。发生这种情况时，高端驱动器可能发生闩锁，并永久性损坏。

　　图1.高压半桥栅极驱动器

　　光耦合器栅极驱动器

　　另一种方法（如图2所示）利用两个光耦合器来实现输出之间的电流隔离，从而避免了高端-低端交互作用的问题。栅极驱动器电路往往置于与光耦合器相同的封装中，最常见的情况是，两个独立的光耦合器栅极驱动器IC构成完整的隔离式半桥，结果使解决方案尺寸变大。需要注意的是，光耦合器是作为分立式器件生产的，即使两个光耦合器封装在一起亦是如此，因此，它们的通道间匹配存在限制。这会增加关闭一个通道与打开另一个通道之间的死区，从而导致效率下降。

光耦合器的响应速度同样受到原边发光二极管(LED)电容的限制，而且将输出驱动至高达1MHz的速度也会受到其传播延迟（最大值为500ns）以及较慢的上升和下降时间（最大值为100ns）的限制。要使光耦合器达到最高速度，需要将LED电流增加至10mA以上，这会消耗更多功率，缩短光耦合器的寿命并降低其可靠性，尤其是在太阳能逆变器和电源应用中常见的高温环境下。

　　图2.光耦合器半桥栅极驱动器

　　脉冲变压器栅极驱动器

　　接下来，我们将探讨电流隔离器，由于它们具有更低的传播延迟、更精确的时序，因此速度比光耦合器更高。脉冲变压器是一种隔离变压器，其工作速度可以达到半桥栅极驱动器应用通常所需的水平（最高1MHz）。栅极驱动器IC可用于提供容性MOSFET栅极充电所需的高电流。图3中的栅极驱动器以差分方式驱动脉冲变压器的原边，该变压器副边有两个绕组，用于驱动半桥的各个栅极。使用脉冲变压器的一个优势是，它不需要用隔离电源来驱动副边MOSFET。当感应线圈中有较大的瞬态栅极驱动电流流过时（会导致振铃），这种应用就可能出现问题。

它有可能使栅极不合需要地开启和关闭，从而损坏MOSFET。脉冲变压器的另一个局限在于，它们在要求信号占空比在50%以上的应用中可能表现不佳。这是由于变压器只能提供交流信号，因为铁芯磁通量必须每半个周期复位一次以维持伏秒平衡。最后，脉冲变压器的磁芯和隔离式绕组需要相对较大的封装。再加上驱动器IC和其他分立式元件，最终建立的解决方案可能尺寸过大，无法适应许多高密度应用。

　　图3.脉冲变压器半桥栅极驱动器

　　数字隔离器栅极驱动器

　　现在，我们来看看以数字隔离器来实现隔离式半桥栅极驱动器的方法。在图4中，数字隔离器使用标准CMOS集成电路工艺，以金属层形成变压器线圈，并以聚酰亚胺绝缘材料来分离线圈。这种组合可以实现5kVrms以上（1分钟额定值）的隔离能力，可用于增强型隔离电源和逆变器应用。

　　图4.采用变压器隔离的数字隔离器

　　图5.数字隔离器4A栅极驱动器

　　如图5中电路所示，数字隔离器消除了光耦合器中使用的LED以及与之相关的老化问题，而且功耗更低、可靠性更高。输入与输出以及输出与输出之间提供电流隔离，以消除高端-低端的交互作用。输出驱动器通过低输出阻抗降低导通损耗，同时通过快速开关时间降低开关损耗。与光耦合器设计不同，高端和低端数字隔离器是输出匹配型集成电路，具有更高的效率。

高压栅极驱动器集成电路（图1）会增加电平转换电路中的传播延迟，因而不能像数字隔离器一样实现通道间时序特性的匹配。在数字隔离器中集成栅极驱动器，可使解决方案的尺寸降至单封装级，从而大幅减小解决方案尺寸。

　　共模瞬变抗扰度

在针对高压电源的许多半桥栅极驱动器应用中，开关元件中可能发生极快的瞬变。在这些应用中，如果较大的dV/dt可能在隔