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创新技术助力,推动便携设备高效充电的发展

时间:12-08 来源:互联网 点击:

主要有功率密度、热处理、安规的处理,设计周期变短,以及性价比需进一步提升。

  英飞凌5mm×6mm 650V/700V高压CoolMOS系列,降低了占板面积,并提升了功率。该系列数字式控制IC,能够提升可靠性,缩短设计周期,并降低成本。

  CoolMOS功率晶体管系列在能效方面树立了行业新标杆。作为高压MOSFET技术的领导者,CoolMOS可大幅降低导通和开关损耗,确保电源转换系统实现高功率密度和高能效。凭借其高性价比,CoolMOS成为了满足目前不断攀升的能源需求的理想之选。尤其是最新的CoolMOS C7系列,代表了最高技术含量的高压功率MOSFET。它使交流/直流电源系统更高效、更紧凑、更轻更凉,这得益于其每种封装上具备最低的通态电阻、最快的开关速度和最低的栅极驱动需求。

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