开关电源设计中怎样选择良好逆变器功率器件

个齐纳稳压二极管，以对栅极电压提供可靠的嵌位。通常还采用一个小电阻或铁氧体来抑制不希望的振荡。

　　⑧MOSFET的截止，不需要象双极晶体管那样，对驱动电路进行精心设计(如在栅极加负压)。因为MOSFET是多数载流子半导体器件，只要把加在栅极-源极之间的电压一撤消(即降到0v)，它马上就会截止。(见参(2) P70)

　　⑨在工艺设计中，应尽量减小与MOSFET各管脚连线的长度，特别是栅极连线的长度。如果实在无法减小其长度，可以用铁氧体小磁环或一个小电阻和MOSFET的栅极串接起来，这两个元件尽量靠近MOSFET的栅极。最好在栅极和源极之间再接一个10K的电阻，以防栅极回路不慎断开而烧毁MOSFET。

　　功率MOSFET内含一个与沟道平行的反向二极管，又称“体二极管”。

　　注意：这个二极管的反向恢复时间长达几us到几十us，其高频开关特性远不如功率MOSFET本身，使之在高频下的某些场合成了累赘。

　　⑶ IGBT(Isolated Gate Bipolar Transistor) 绝缘门极双极型晶体管：

　　通态电阻RDS(ON) 大是MOSFET的一大缺点，如在其漂移区中注入少子，引入大注入效应，产生电导调制，使其特征阻抗大幅度下降，这就是IGBT。在同等耐压条件下，IGBT的导通电阻只有MOSFET的1/10--1/30，电流密度提高了10-20倍。但是引入了少子效应，形成两种载流子同时运行，使工作频率下降了许多。IGBT是MOSFET和GTR双极性晶体管的折衷器件，结构上和MOSFET很相似，但其工作原理更接近GTR，所以IGBT相当一个N沟道MOSFET驱动的PNP晶体管。特点：它将MOSFET和GTR的优点集于一身，既具有MOSFET输入阻抗高、速度快、热稳定性好和驱动电路简单的优点，又有GTR通态电压低、耐压高的优点。