新型电信/数据通信服务器电源的设计

出10.75v, 使第一个LDO1将被禁止，关断了高耗尽型FET预调节器, 从而降低了芯片的功率消耗，这点对于了输入电压Vin比较高时尤为重要。

* 由连接在Vdd LDO1之后的第二个线性调节器(LDO2 Linear Reguator) 的输出用来产生一个Vcc电压，该Vcc电压是用来给芯片内部逻辑电路、模拟电路和外部功率MOSFET三极管的驱动器供电。需要强调的是，此该Vcc调节器具有一条锁定线，可以在产生Vcc 未稳定时将N沟道功率MOSFET驱动器的输出到地短路。

四、脉冲隔离变压器T参数的设定

变压器T参数的设定见表2所示，其变压器电原理见图1所示，各绕组的相位关系由端点的黑标表示。

因该降压高频脉冲变压器是一个隔离元件，故设计参数时应考虑以下几个指标：

1.引发工作损耗的初、次级的直流电阻和交流电阻，其交流损耗部分是由于高频趋肤与邻近效应及涡流所引起，为此线圈结构的选择对于这种损耗有重大影响。本设计中选用磁芯结构的规格为EFD20型其材料为高频铁氧体。

2.漏感。这是非常关键的杂散参数，它的大小直接影响向次级传送功率的效果，因此必须降低该参数，而低漏感也可降低初级损耗。本设计中，部分漏感能量被开关管Q1耗散掉。

3.励磁电感 这是从初级端T1-1、2看进去而同时其它所有绕组端子均开路时电感。

五、输出与反馈电路

1.在变压器次级二端选用RC网络(R13/C12)并联, 以此降低次级输出的振荡。

2.选用低正向压降的双肖特基二极管D4作为整流管，SBL2040CT型二极管额定电流为20A，反向击穿电压为40v。应加散热器进行冷却，因流过D4管整流的总平均电流为10A，其功率耗散为5.5W。图4为次级侧的输出波形，波形上的负向尖峰电压，将被二极管D4所吸收。

需要注意的是：为降低EMI并改善功率传送的效率,从变压器T1次级到肖特基二极管D4间的距离要尽可能短。

3.L1电感量为4.7μh,它是一个低串联电阻、低损耗、大电流电感,能传送10A电流。输出电容可用旦电解电容或铝解电容C7 C13 C14，为进一步降低的开关噪声，还并联0.1uf陶瓷电容C15，本电路中通过电容的交流RMS电流约为0.8A RmS，所以应安全地平滑纹波电流。

4.由U3(TL431AID)高精度稳压器和U2(MOC27)光耦合器等组成反馈电路, 以实现对输出电压的稳定控制。

为此,通过接于Vout输出端和TL431基准端之间的分压电阻R11/R12，将U3的输出1脚(TL431的阴极)设定在稳定的5v(即将TL431接成为恒压源),并接于MOC27输入端LED发光二极管的负极，而MOC27输出回路(光敏三极管的C极与e极) 接至芯片MAX5003的CON脚与地。其稳压控制过程是：若Vout电压升高时，则流过MOC27中LED的电流将增加(即TL431的阴极电流增加), 则光敏三极管的电流Ice增加而Uc电位下降，从而使MAX5003占空比降下来，又使Vout输出电压下降,实现了Vout输出电压的稳定。反之，当Vout电压降低时，工作过程相反，也将Vout输出电稳定。