基于0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件的设计及仿真研究

了在不同辐照剂量条件下，器件阈值电压的漂移。这是因为在辐照会产生总剂量效应，在MOS器件中总剂量效应主要是在氧化物中产生电荷以及在Si/SiO2界面产生界面态。即使在室温条件下，SiO2中的电子也是可以移动的，它们能够迅速离开氧化层;另一方面，陷在氧化物中的空穴会产生正氧化物电荷，该电荷会导致器件阈值电压产生负漂移。同时，总剂量辐照也会也会在Si/SiO2界面产生界面态，与氧化物电荷作用相反，界面态会使阈值电压增大。

4.总结

使用Sentaurus TCAD软件成功设计了0.18μmH栅P-Well SOI MOSFET器件并进行了特性仿真。整个设计过程中用到了SentaurusTCAD软件中的SDE和Sentaurus Device两个主要工具，分析仿真结果得到了阈值电压(Vth)和饱和电流(Idsat)两个主要参数，参数值和理论相符合。