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数字控制器提高DC/DC效率的策略分析

时间:12-09 来源:互联网 点击:

MOSFET 和两个变压器中心分接线圈同时导通,而不是一个同步MOSFET 和一个中心分接变压器导通。因此,次级电流将只有一半的有效电阻,与只有一个同步MOSFET 导通的情况相比,损耗会降低一半。

图4:叠加同步MOSFET 栅极驱动信号以提高效率 最后,在传统的开关方法中,有意引入的死区可能为开关周期的10%,并且在该死区期间,高次级电流将流经MOSFET的高正向压降内部二极管。通过配置同步MOSFET的PWM 栅极驱动信号叠加,高次级电流可流经MOSFET通道。在这种情况下,将只有Rds(ON)损耗,其与死区中MOSFET内部二极管导致的损耗相比非常小。对于具有电信输入(36 至76 VDC)的系统,通过叠加同步MOSFET栅极驱动信号,直流-直流转换器的效率将提高3 - 4%.

实现这些技术需要灵活的具有完全独立PWM 输出的电源控制器。DSC提供了灵活性以及PWM外设,可轻松实现此技术和其他效率提升技术。

结论

PSFB 拓扑具有实现现代电源所需效率的潜力。数字控制使设计人员能够非常精确地控制PSFB拓扑和实现高级控制技术(例如叠加同步MOSFET)。新拓扑、新技术及新理念正在推动电源进入二十一世纪。数字控制器已经为未来的电源需求做好了准备。

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