多模/多频功率放大器模块助力复杂射频技术设计

复用/时分复用(FDD/TDD)功率放大器模块——SKY77441。该公司的高级工程总监Gene Tkachenko介绍，SKY77441是为LTE TDD频段7和LTE FDD频段38和40开发的，是一款完全匹配的表面贴装模块。

　　SKY77441 是采用InGaP- BiFET工艺实现的，它以带正交相移键控(QPSK)或16态正交调幅(QAM)信号的全资源块分配提供26dBm以上的线性输出功率。在WCDMA调制时，它提供28dBm以上的线性输出功率。除了带功率检测的功率放大器级以外，该PA模块还集成了输入和输出匹配网络。该公司还正在开发 SKY77441的各种不同版本，以支持新应用所需的更多频段。

　　为成功地在单一放大器内整合频段及模式，安华高科技注意到，需要物理上更大的架构。这种架构通常需要额外的、像DC-DC转换器那种不乏昂贵的电路。由于功率放大器之后的开关损耗、不那么优化的负载线、DC-DC 的功耗以及其它问题，这种架构在效率上也受到显著影响。鉴于当今的多频段需求，制造商基本上能以高出10到20%的电流消耗省去一个甚或两个单频功率放大器。因为单一功率放大器一般不超过物料成本的1%，安华高科技的设计师拿不准这是否值得。

　　未来，安华高科技预测，三个或更多的功率放大器将会从设计中被淘汰。这应该是在多模、多频应用中采取单一宽带功率放大器模块方案的交叉点。安华高科技计划开发多模、多频功率放大器架构并正朝这一方向努力。该公司的设计师在研究多种架构，其中一些看起来希望较大。但在架构上，该公司还试图确定它具有的优势能显著压倒从成本和性能方面出发的考虑。

　　虽然大多数开发商在其有源器件的开发中采取砷化镓和相关的化合物半导体技术，射频CMOS供应商也把目光投向这个利润丰厚的市场。利用一种新颖的功率放大器架构，初创公司Black Sand已研制出一款3G CMOS功率放大器。虽然其第一个版本是特定频段、特定模式的，但多段、多模的CMOS功率放大器也在该公司的研发路线图上。因为有可能在同一个硅芯片上集成数字控制器和电源管理电路，该公司正在研究各种架构，其中要令核心CMOS功率放大器能够针对期望的频段和模式动态地进行重新配置。理想情况下，也还要能对偏置实施动态优化以获得最佳性能。