相变存储器（PCM）技术基础

结论

相变存储器是一种很有发展前景的存储技术，近年来再次引起了研究人员的注意。相变存储器利用可逆的相变现象，通过两相间的阻抗差异来存储信息。Numonyx的早期工作和取得的进展，将该技术推向了可读写存储领域的前沿。相变存储器集成了NOR闪存、NAND闪存、EEPROM和RAM的特性于一体，这些功能连同存储系统低耗用的潜能，将能够在广泛地创造出新的应用和存储架构。