晶体滤波器设计
图5.1-9 几种切型的频率温度特性曲线
由图可知AT切型在-55~+85度之间频率变化都很小,特别是在-20~+40度范围内,频率基本上与温度无关。
2、石英谐振器等交电路及电抗频率特性
(1)石英谐振器等效电路 模拟晶体谐振点附近情况,它相当于一个串联谐振电路,因此可用集中参数LS、CS、RS来等效,LS称之动态电感,CS称之动态电容,RS称之动态电阻,其基频等效电路见图5.1-10
图5.1-10 石英谐振器基频等效电路
图中右边支路的电容C0称为石英谐振器的静电容。它是以石英为介质在两极板间形成的电容,其容量主要决定于石英片尺寸和电极面积,可用下式表示;
式中E为石英的介电常数;S为极板面积;D为石英片厚度。
C0一般在几皮法到几十皮法之间。
石英晶体的Q值非常高,是一般LC振荡回路远所不及,Q值与动态参数关系为
目前广泛使用的AT切型密封谐振器Q值,一般为(50~300)*10的3次方,而精密型的Q值可达(1~5)*10的8次方。
(2)石英谐振器等效电路电抗频率特性 由等效电路可知,有两个谐振角频率,一为左支路的串联谐振角频率WS,即石英片本身自然角频率
另一石英谐振器的并联谐振角频率
当忽略动态电阻RS的影响时,由石英晶体和等效电路可求其效电抗X。
其电抗频率特性曲线示于图5.1-11。
图5.1-11 石英谐振器电抗频率特性
由图5.1-11可见当W大于WPW、W小于WS时电抗JX为容性;当W在WS、WP之间时,电抗JX为感性。
石英晶体滤波器工作时,石英晶体两个谐振频率之间的宽度,通常决定滤波器的通带宽度。为要加宽滤波器的通带宽度,则必须加宽石英晶体两谐振频率之间的宽度,这通常可用外加电感与石英晶体串联或并联的方法来实现。
表5.1-8示出部分石英晶体的主要性能。
差接桥型带通晶体滤波器
设计晶体滤波器也有两种方法:一是影象参数法;另一是有效参数法(即综合法)。综合法是目前广泛采用的有效方法。在许多现代电子设备中应用最多的是带通晶体滤波器,按其频带分类有察窄带、中等带宽、宽带三类,其相对带宽分别为小于0.1%以下、0.1%~1%和大于1%。
带通晶体滤波器中,以差接桥型或称之格型应用最为普遍,差接桥型电路实际上是惠斯登电桥电路。其典型形式有以下两种:
1、窄带差接桥型带通晶体滤波器 此种滤波器的零件参数是由网络综合法设计计算得出的。先将全极点归一化低通LC梯型电路转换成带通梯型电路,然后再由巴尔特勒特中剖定理,将梯型电路变换差接型电路或桥型电路或桥型电路,并用晶体谐振器等效来实现。窄带差接桥型带通晶体滤波器电路的设计请参阅文献(7)。
2、宽带差接桥型带通晶体滤波器的设计 表5.1-9列出了个设计公式和例子。
晶体滤波器定型产品的选用
目前,国内外都已经生产出具有一定技术指标的晶体滤波器系列产品。现只介绍我国某著名厂家的两大类型产品如下。
1、通用型晶体滤波器
表5.1-11示出通用型晶体滤波器主要性能参数。
2、单片晶体滤波器
在单片晶体滤波器中又以集成式单片晶体滤波器性能为佳,它和普通分立式晶体滤波器相比,有更多优点:体积小,温度稳定性和机械稳定性都好,生产周期短,成本低,适合大批量生产。自60年代集成晶体滤波器问世以来,世界各国竟先研制,取得很大发展。直到目前,频率范围从3MHZ到180MHZ,相对带宽在0.002%~0.35%之间单片晶体滤波器已得到了广泛应用,低于5MHZ和高达35.0MHZ的集成式单片晶体滤波器早已研制成功。
集成式单片晶体滤波器主要用于通信系统之外,一般的测量和综合也广泛应用,用来提纯频谱、消除寄生信号和混杂的谐波成分等。
55.1-12列出部分单片晶体滤波器主要性能参数。
- 串联型晶体振荡电路(01-24)
- 石英晶体正弦波振荡电路(01-24)
- 利用单晶体管构建智能的电池充电器电路(03-05)
- 采用双极型晶体管的直流250mV转换器(07-28)
- 什么是晶体二极管?(07-21)
- OLED的结构原理及优缺点(10-01)