从美国电源工业发展计划看我国电源工业的发展
1.2DC/DC变换器市场预测
(1)功率定额按DC/DC开关电源的额定功率大小分类,各类电源市场占有比例及年增长率示于表3。从表3数据可见,51-250WDC/DC开关电源在过去四年中占的份额最大。由于微处理器的高速化,DC/DC开关电源由低功率向中功率方向发展是必然趋势。一般说来,DC/DC开关电源在低功率范围增长率最快,其中16-25WDC/DC开关电源的增长率最高,这是因为它们大量用于直流分布式电源,而直流分布式电源正广泛地用于测试和测量设备、计算机显示系统、坚固可靠的计算机和军用通讯系统。251-500WDC/DC开关电源增长率则居于第二位,它们主要用于服务性的医疗和实验室设备、工业控制设备、远程通讯设备、多路通讯及其它发送设备。51-100WDC/DC开关电源在1996年占的份额最高,但预见增长率较低。
(2)用户应用领域按DC/DC开关电源的用户应用领域分类,各类电源市场占有比例及年增长率示于表4。从表4数据可见,与AC/DC电源情况类似,DC/DC开关电源在远程通讯和数字通讯领域,年增长率最高,达15.2%。
2小功率变换器在今后五年内的发展趋势
文献[2]就美国10-25W及50-200WDC/DC变换器及500W以内的AC/DC变换器三类变换器的技术、价格现状和未来发展趋势作了综合的对比,分别示于表5、表6、表7。从中我们可以看出,小功率变换器在今后五年内的主要发展趋势是:为适应超高速CPU芯片的迅速发展,DC/DC类变换器向低输出电压(最低将低到1.2V)、低成本、高输出电流、高频化(400~500kHz)、高功率密度、高可靠性(MTBF≥106h)、高效率的方向发展。
3低压大电流DC/DC变换器的技术方向
如前所述,现代微处理器和一些超高速的超大规模集成电路芯片,如IntelPenitumPro等,要求运
图2交错叠加型准方波抵消纹波的变换拓扑原理图
表610~25WDC/DC变换器技术的主要发展趋势
| 技术要求 | 目前水平 | 预计2002年水平 |
|---|---|---|
| 成本 | 0.25~0.5美元/W | 0.1~0.25美元/W |
| 输入电压 | 9~12V | 1.5~12V |
| 输出电压 | 3.3~12V | -1.2,3.3V |
| 可靠性(MTBF) | 数兆小时 | 数兆小时 |
| 控制 | 同步整流器 | |
| 功率拓扑 | Buck/线性 | 同步开关电容 |
| 效率 | 85%~90% | >90% |
| 其他 | 磁性材料:铁氧体贴装在硅片上,铁氧体上贴装硅片电容器:新型的塑料电容器组装:多芯片组装 |
行在低电压(2.4~3.3V)、大电流(>13A)状态,而直流母线电压通常为5~12V。这样就对其供电电源(电压调整模块-VRM)提出了新的挑战,见文献[4]。要求VRM具有非常快速的负载电流动态响应,在保证足够小体积的同时,具有较高的效率。表8给出了现代微处理器对VRM有要求:
表8现代微处理器对VRM的要求
| 目前 | 将来 | |
|---|---|---|
| 输出电压 | 2.1~3.5V | 1~3V |
| 负载电流 | 0.3~13A | 1~50A |
| 允许输出电压的变化 | ±5% | ±2% |
| 去耦电容器电流变化率 | 1A/ns | 5A/ns |
为了使VRM具有快速的负载电流动态响应,传统的解决办法是VRM的输出端并联很多容量很大、等效串联电阻很小的去耦电容器。显然,该方法存在如下问题:
(1)去耦电容器体积很大,而现代微处理器对VRM的体积有严格的要求;
(2)去耦电容只能改善动态响应的最初阶段,对后阶段及总的动态响应时间没有作用。
为此,文献[3]提出了一种交错叠加型准方波抵消纹波的变换拓扑结构。其原理如图2所示。

表9比较了该方案与传统采用大容量去耦电容器方案的结果。结果表明,该结构在保证要求输出纹波的前提下,不但可以大大减小输出电容器的容量,
| 技术要求 | 目前水平 | 预计2002年水平 |
|---|---|---|
| 成本 | 0.25~1.0美元/W | 0.15~0.5美元/W |
| 功率密度 | 54.3W/立方英寸(300W) | >108.6W/立方英寸 |
| 29.6W/立方英寸(50W) | >59.2W/立方英寸 | |
| 输入电压 | 24,48V | 24V,48V |
| 输出电压 | 3.3,5,15V | -1.5,2.2,3.3,5,15V |
| 可靠性(MTBF) | 1~10Mh | 20Mh |
| 控制 | 400~500kHz | 400~500kHz |
| 功率拓扑 | 正激带有源箝位 | 正激带有源箝位,双正激 |
| 效率 | 85%~90% | >90% |
| 其他 | 开关:MOSFETS(GaAs),导通电阻减小两倍,较低的门极驱动电压磁性材料:更多地采用集成磁心电容器:容量密度增加2~3倍组装:增加模块化,多芯片组装 |
而且能大大减小VRM的输出滤波电感的电感量。
表9与传统大容量退耦电容器方案的比较结果
| 交错叠加型准方波VRM | 传统VRM | |
|---|---|---|
| 总电容量 | 1520μF | 7000μF |
| 输出滤波电感的电感量 | 320nH(×2) | 3.8μH |
| 动态电压跌落 | 100mV | 150mV |
除此而外,为了提高VRM的动态响应,还必须力求减小供电母线的引线电感。最有效的办法是将VRM作成“装在印制板上”的形式,直接装在负载附近,而不采取集中电源供电的形式。另一方面,还要求VRM本身具有十分小的引线电感。为了保证VRM具有足够高的效率,必须采用同步整流和漏感很小的平面超薄型的变压器[3]。目前,美国能生产这类新型DC/DC变换
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