电子类常见笔试试题

你有什么办法提高refresh time，总共有5个问题，记不起来了。（降低温度，增大电容存储容量）（Infineon笔试）

80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out which nodes can store data and which node is word line control? （威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09）

81、名词:sram,ssram,sdram 名词IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language SDR: Single Data Rate
压控振荡器的英文缩写(VCO)。动态随机存储器的英文缩写(DRAM)。
名词解释，无聊的外文缩写罢了，比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(压控振荡器) RAM (动态随机存储器)，FIR IIR DFT(离散傅立叶变换)或者是中文的，比如：a.量化误差 b.直方图 c.白平衡

二、IC设计基础（流程、工艺、版图、器件）
1、我们公司的产品是集成电路，请描述一下你对集成电路的认识，列举一些与集成电路相关的内容（如讲清楚模拟、数字、双极型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA等的概念）。（仕兰微面试题目）

2、FPGA和ASIC的概念，他们的区别。（未知）
答案：FPGA是可编程ASIC。
ASIC:专用集成电路，它是面向专门用途的电路，专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求，能以低研制成本，短、交货周期供货的全定制，半定制集成电路。与门阵列等其它ASIC(Application Specific IC)相比，它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点

3、什么叫做OTP片、掩膜片，两者的区别何在？（仕兰微面试题目）

4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？（仕兰微面试题目）

5、描述你对集成电路设计流程的认识。（仕兰微面试题目）

6、简述FPGA等可编程逻辑器件设计流程。（仕兰微面试题目）

7、IC设计前端到后端的流程和eda工具。（未知）

8、从RTL synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.（未知）

9、Asic的design flow。（威盛VIA 2003.11.06 上海笔试试题）

10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。（威盛）

11、集成电路前段设计流程，写出相关的工具。（扬智电子笔试）
先介绍下IC开发流程：
1.）代码输入（design input)
用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述，生成hdl代码
语言输入工具：SUMMIT VISUALHDL
MENTOR RENIOR
图形输入: composer(cadence);
viewlogic (viewdraw)
2.）电路仿真（circuit simulation)
将vhd代码进行先前逻辑仿真，验证功能描述是否正确
数字电路仿真工具：
Verolog： CADENCE Verolig-XL
SYNOPSYS VCS
MENTOR Modle-sim
VHDL : CADENCE NC-vhdl
SYNOPSYS VSS
MENTOR Modle-sim
模拟电路仿真工具：
***ANTI HSpice pspice，spectre micro microwave: eesoft : hp
3.）逻辑综合（synthesis tools)
逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路；将初级仿真中所没有考虑的门沿（gates delay）反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。

12、请简述一下设计后端的整个流程？（仕兰微面试题目）

13、是否接触过自动布局布线？请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素？（仕兰微面试题目）

14、描述你对集成电路工艺的认识。（仕兰微面试题目）

15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么？（仕兰微面试题目）

16、请描述一下国内的工艺现状。（仕兰微面试题目）

17、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？（仕兰微面试题目）

18、描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果？（仕兰微面试题目）

19、解释latch-up现象和Antenna effect和其预防措施.（未知）

20、什么叫Latchup?（科广试题）

21、什么叫窄沟效应? （科广试题）

22、什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）

23、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？（仕兰微面试题目）

24、画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移特性。（Infineon笔试试题）

25、以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。（科广试题）

26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the resistance of