金属-氧化物-半导体场效应管

结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。

MOS管也有N沟道和P沟道之分，而且每一类又分为增强型和耗尽型两种，二者的区别是增强型MOS管在栅-源电压vGS=0时，漏-源极之间没有导电沟道存在，即使加上电压vDS（在一定的数值范围内），也没有漏极电流产生（iD=0）。而耗尽型MOS管在vGS=0时，漏-源极间就有导电沟道存在。

4.3.1 N沟道增强型场效应管

一、结构

( vGS＞VT )

式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。

2. 参数

MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同，只是增强型MOS管中不用夹断电压VP，而用开启电压VT表征管子的特性。

4.3.2 N沟道耗尽型场效应管

图1

表 1

结构种类	工作方式	符 号	电压极性		转移特性 iD = f (vGS)	输出特性 iD = f (vDS)
			VP或VT	VDS
N沟道 MOSFET	耗 尽 型		(-)	(+)
	增 强 型		(+)	(+)
P沟道 MOSFET	耗 尽 型		(+)	(-)
	增 强 型		(-)	(-)
P沟道 JFET	耗 尽 型		(+)	(-)
N沟道 JFET	耗 尽 型		(-)	(+)
P沟道 GaAs MESFET	耗 尽 型		(-)	(+)