结型场效应管

4.1.1 结型场效应管的结构与工作原理

一、结型场效应管的结构

如图1(a)所示，在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+区,就形成两个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。它们分别与三极管的基极b、发射极e和集电极c相对应。夹在两个P+N结中间的N区是电流的通道，称为导电沟道（简称沟道）。这种结构的管子称为N沟道结型场效应管，它在电路中用图1(b)所示的符号表示，栅极上的箭头表示栅-源极间的P+N结正向偏置时，栅极电流的方向（由P区指向N区）。

N沟道JFET的结构剖面图

rd反映了漏-源电压vDS对iD的影响。在饱和区内，iD几乎不随vDS而变化，因此，rd数值很大，一般为几十千欧~几百千欧。

（6）. 极间电容Cgs、Cgd、Cds

Cgs是栅-源极间存在的电容，Cgd是栅-漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF，而漏-源极间的电容Cds约为0.1~1pF。在低频情况下，极间电容的影响可以忽略，但在高频应用时，极间电容的影响必须考虑。

（7）. 最大漏-源电压V(BR)DS

指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小与vGS有关，对N沟道而言，|vGS|的值越大，则V(BR)DS越小。

（8）. 最大栅-源电压V(BR)GS

指栅-源极间的PN结发生反向击穿时的vGS值，这时栅极电流由零而急剧上升。

（9）. 漏极最大耗散功率PDM

漏极耗散功率PD(=vDSiD)变为热能使管子的温度升高，为了限制管子的温度，就需要限制管子的耗散功率不能超过PDM。PDM的大小与环境温度有关。

除了以上参数外，结型场效应管还有噪声系数，高频参数等其他参数。结型场效应管的噪声系数很小，可达1.5dB以下。