集成高压MOSFET可实现PFC的HiperPFS控制器芯片
欧洲、美国和其他国家/地区所采用的能效法规,都对功率要求在75 W以上的众多电子产品和5 W以上的照明产品提出了高功率因数要求。这些法规与众多的应用专用标准相结合,要求电源在从满载到低至10%负载的整个负载范围内都必须达到高效率。在轻载条件下实现高效率,对传统的PFC方法来说是一项挑战,因为固定的MOSFET开关频率会在每个周期造成固定的开关损耗,即使在轻载条件下也是如此。
HiperPFS可以在极大的产品应用范围内使电源设计轻松满足各项新的能效标准,这类应用包括计算机、LCD电视机、笔记本电脑、家用电器、电泵、电机、风扇、打印机以及LED照明。Power Integrations创新的变频连续导通工作模式(VF-CCM)技术,可以通过维持较低的平均开关频率来降低开关损耗,同时还能改变开关频率,达到抑制EMI的目的,这正是连续导通模式解决方案所面临的传统挑战。使用HiperPFS设计的系统,通常能同时节省升压扼流圈和共模EMI噪声抑制扼流圈中的磁芯尺寸,从而缩减系统总体尺寸和成本。
Power Integrations产品营销经理David New表示:“我们创新的变频及连续导通模式控制器,能够使HiperPFS充分发挥出连续导通工作模式的全部优势,同时只需使用小型、简单的低成本EMI滤波器。HiperPFS系列器件在轻载效率方面,独领业界风骚。HiperPFS提供的高集成度PFC解决方案,可大幅减少BOM中的元件数。有些参考设计可将元件数减少50个。”
同Power Integrations的其他电源转换产品系列一样,HiperPFS具备全面的保护功能,比如集成软启动、故障及过载保护、迟滞热关断等。
HiperPFS器件现以PI常用的eSIP?薄型封装供货,基于10,000片的订货量每片价格为1.53美元。
- 如何设计一个合适的系统电源(上)(11-20)
- 什么是MOSFET(11-26)
- 包含热模型的新型MOSFET PSPICE模型 (11-26)
- 用IGBT代替MOSFET的可行性分析(11-27)
- MOSFET的谐极驱动(11-27)
- 扩展升压稳压器输入、输出电压范围的级联 MOSFET (11-30)