DS2433设计转变为DS24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

影响：DS2433数据资料仅规定了典型值；DS24B33则规定了最大编程电流。为确保满足2.8V最小值要求，需要知道最大编程电流。如果上拉电压接近其指标下限，满足最小电压要求尤其重要。例如：为了在5V环境下满足2.8V最小值要求，上拉电阻必须为RPUP≤ (5.0V - 2.8V)/2mA = 1100Ω。

措施：如果对DS24B33进行写操作，则检查是否满足2.8V最低电压工作条件(VPUPMIN)，以获得最大编程电流。尤其对于接近3.3V的VPUP，上拉电阻需要一个可切换的低阻旁路，详细信息请参考应用笔记4255：“为1-Wire?器件的扩展功能供电”，或应用笔记4206：“为嵌入式应用选择合适的1-Wire?主机”。

1. 输入负载电流
   说明：该参数规定在没有通信操作时，1-Wire从器件从1-Wire总线吸收的电流。此时，寄生电源已完全充满。不同器件之间的输入负载电流不同。输入负载电流产生的上拉电阻压降计算公式为：ΔV = RPUP× IL。
   
   摘自DS2433数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   IL			5		μA	4

   注4：

   输入负载至地。

   
   摘自DS24B33数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   IL	IO at VPUPMAX	0.05		5	μA

   注4：

   输入负载至地。

   
   影响：DS2433数据资料仅规定了典型值。DS24B33数据资料规定了最小值和最大值。
   
   措施：由于最大值与DS2433典型值相同，该参数完全兼容于DS2433应用，无需采取措施。
   
2. 输入电容
   说明：该参数规定1-Wire器件寄生电源的电容值，通常，该数值为600pF至800pF。如果寄生电源完全放电，则需要一定的空闲时间重新充电补充能量，使1-Wire做好通信准备。器件上电时，通常具有足够的空闲时间。正常工作期间，只为部分寄生电容重新充电。
   
   摘自DS2433数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   CIN/OUT	TA= +25°C		100	800	pF	6

   注6：	首次加电时，数据引脚的电容可为800pF。如果使用5kΩ电阻将数据线上拉至VPUP，在向寄生电容加电后5μs将不影响正常通信。

   
   摘自DS24B33数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   CIO	TA= -40°C to +85°C		2000		pF	5, 6

   注5：	首次施加VPUP时，数据引脚的电容为2500pF。如果使用2.2kΩ电阻上拉数据线，向寄生电容施加VPUP后15μs将不影响正常通信。
   注6：	仅由设计、特征参数和/或仿真保证，无生产测试。

   
   影响：由于DS24B33需要的编程电流高于DS2433，它所要求的寄生供电电容明显大于DS2433。由此降低了给定1-Wire主控制器能够驱动的从器件数量。对于DS2433工作裕量很小的应用(低VPUP、高RPUP、短tREC)，可能不能使用DS24B33。
   
   措施：为了解决DS24B33高输入电容的问题，有必要选择较低的1-Wire上拉电阻，或使用专用的1-Wire主控器件，例如DS2480B。对于低上拉电压的应用，电阻上拉接口可能必须采用有源上拉驱动代替，例如DS2482。

工作条件变化

1. 上拉电压
   说明：该参数规定1-Wire工作电压。上限为1-Wire器件在没有应力、无时间限制情况下IO引脚可承受的电压。
   
   摘自DS2433数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   VPUP	TA= -40°C to +85°C	2.8		6	V	1

   注1：	VPUP= 外部上拉电压。

   
   摘自DS24B33数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   VPUP	TA= -40°C to +85°C	2.8		5.25	V	2, 3

   注2：	系统要求。< /TD>
   注3：	工作在接近最低电压(2.8V)时，建议下降沿摆率为15V/μs或更快。

   
   影响：由于采用新一代半导体工艺，DS24B33可承受的最大值低于DS2433。由于大多数应用工作在5V ±5%或更低，这一变化应该不是问题。
   
   措施：如果实际应用工作在6V ±5%，则降低上拉电压。例如，将一个或两个通用的硅二极管与上拉电阻串联。二极管大约0.7V的导通压降可降低1-Wire电压，实现安全工作。
   
2. 上拉电阻
   说明：该参数规定1-Wire上拉电阻的允许范围。如果电阻过大，没有足够时间为1-Wire从器件的寄生电源重新充电；如果电阻值过小，可能不满足最大VIL指标。
   
   摘自DS2433数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   RPUP					kΩ

   
   DS2433数据资料在电气特性表中未明确给出RPUP，但给出了一些文字指导。DS2433数据资料图8中的文字规定单点网络的指标：“读操作为5kΩ，VPUP≥ 4V时写操作为2.2kΩ。根据1-Wire通信速率和总线负载特性，上拉电阻优化在1.5kΩ至5kΩ范围”。
   
   摘自DS24B33数据资料

   SYMBOL	CONDITIONS	MIN	TYP	MAX	UNITS	NOTES
   RPUP		0.3		2.2	kΩ	2, 4

   注2：	系统要求。
   注4：	最大允许上拉电阻是系统中1-Wire器件数量、1-Wire恢复时间以及EEPROM编程所需电流的函数。此处给出的数值适用于只有一个器件、具有最小1-Wire恢复时间的系统。对于负载较重的系统，可能需要有源上拉，例如DS2482-x00或DS2480B。

   
   影响：相对于DS2433数据资料，DS24B33数据资料给出了关于上拉电阻范围的详细信息。DS24B33的上限符合tREC测试条件。下限不会对5V ±5%环境下的DS24B33造成应力。然而，在最差工作条件下(即DS24B33的输出晶体管阻抗= VOLMAX/4mA = 100Ω)，DS24B33拉低1-Wire总线时，所产生的VOL值为：100Ω/(100Ω + 300Ω) × VPUP。为满足其它1-Wire从器件和主控器件的最大VIL要求，2.8V下最小、最安全的RPUP值为600Ω。
   
   措施：检查应用中的上拉电阻。如果上拉电阻高于2.2kΩ，则用较小的电阻代替它，或使用不同的1-Wire主控器件。更多建议请参见输入电容部分。