光刻胶材料的重大突破 极紫外光刻迈向实用

新式半导体光刻技术中，极紫外光刻(EUV)被认为是最有前途的方法之一，不过其实现难度也相当高，从上世纪八十年代开始探寻至今已经将近三十年， 仍然未能投入实用。极紫外光刻面临的关键挑战之一就是寻找合适的光刻胶(photoresist)，也就是用来在芯片层表面光刻出特定图案的材料。它必须对极紫外辐射 非常敏感，这样才能刻出图案，但同时又必须能够抵御随后的蚀刻和其他处理步骤。

Intel公司内部一直在用微曝光设备(MET)对各种不同材料进行试验和评估，目的就是寻找一种能够同时满足高敏感度、高分辨率、低线宽粗糙度 (LWR)的光刻胶材料，最近终于取得了重大突破。

在国际光学工程学会(SPIE)举行的光刻大会上，Intel就进行了这方面的展示，使用一种正型化学放大光刻胶(CAR)结合极紫 外底层，以及一种相应的漂洗剂，最终达成了22nm半节距(half pitch)分辨率，并满足敏感度和LWR要求。

Intel据此骄傲地宣布，经过数十年的不懈努力，极紫外光刻技术已经从研究层面迈向实用，当然了，真正商用仍 尚需时日。

蓝色部分即代表光刻胶