微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 硬件设计 > 模拟电路设计 > 单结晶体管构成弛张振荡电路简介

单结晶体管构成弛张振荡电路简介

时间:04-04 来源:互联网 点击:

单结晶体管构成的弛张振荡电路如图2-55(a)所示。设电容器的初始电压为0。接通电源后电源通过电阻R 向电容充电,单结晶体管内部的UA决定于电源电压E(即Ubb)和器件的伏安特性,峰点与谷点也由此而确定。电容电压UC依指数规律上升,在发射极电压达到峰点之前,发射极电流很小,由于流过R1的电流很小,其两端的电压可以忽略。当电压上升的峰点,UC=UP 时,单结晶体管进入负阻区,内部的二极管导通,电容通过导通着的二极管、R1放电,放电电流呈指数规律衰减,该电流经过R1产生压降。此时通过R1的电流由两部分组成,其一是电容的放电电流,其二为电源通过电阻R 和导通着的二极管供给R1的电流。当电容放电使发射极电流Ie到达谷点时,单结晶体管脱离负阻区,内部电阻Rb1的增大,使UA增高,内部二极管再度承受反压,呈阻断状态,Ie消失,电路进入下一次电
容充电阶段。当电容电压在一次达到峰点电压时,出现又一次放电。电路中不断重复充电和放电过程,形成振荡,电容电压在峰点电压和谷点电压之间变化,每一次放电都会在R1上产生一个电压脉冲。电容电压和R1上电压的波形如图2-55(b)所示。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top