基于DA-14B33的开关电源电路设计流程

以必须在靠AC 输入端 (Fuse 之后)，加上突波吸收器来保护

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　　设计流程简介

　　Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考虑，可先忽略不装。

　　3.3.4 CY1，CY2(Y-Cap):

　　Y-Cap 一般可分为Y1 及Y2 电容，若AC Input 有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ， AC Input 若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2 的差异，除了价格外(Y1 较昂贵)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2 的两倍，且在电容的本体上会有“回”符号或注明Y1)，此电路因为有FG 所以使用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin 公司标准为750uAmax)。

　　3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1:

　　X-Cap 为防制EMI零件，EMI 可分为Conduction及Radiation 两部分，Conduction 规范一般可分为: FCC Part 15J Class B 、 CISPR22(EN55022) Class B 两种 ， FCC测试频率在450K~30MHz，CISPR22 测试频率在150K~30MHz， Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K ~数M 之间)的EMI 防制有效，一般而言X-Cap 愈大，EMI 防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap 在0.22uf 以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻(RX1，一般为1.2MΩ 1/4W)。

　　3.3.6 LF1(Common Choke):

　　EMI 防制零件，主要影响Conduction 的中、低频段，设计时必须同时考虑EMI特性及温升，以同样尺寸的Common Choke 而言，线圈数愈多(相对的线径愈细)，EMI 防制效果愈好，但温升可能较高。

　　3.3.7 BD1(整流二极管):

　　将AC 电源以全波整流的方式转换为DC，由变压器所计算出的Iin值，可知只要使用1A/600V 的整流二极管，因为是全波整流所以耐压只要600V 即可。

　　3.3.8 C1(滤波电容):

　　由C1 的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值，电容量愈大，Vin(min)愈高但价格亦愈高，此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确，若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V)，

　　可使用耐压200V 的电容;若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1 电压最高约380V，所以必须使用耐压400V 的电容。

　　3.3.9 D2(辅助电源二极管):

　　整流二极管，一般常用FR105(1A/600V)或BYT42M(1A/1000V)，两者主要差异:

　　1.耐压不同(在此处使用差异无所谓)

　　2.VF不同(FR105=1.2V，BYT42M=1.4V)

　　3.3.10 R10(辅助电源电阻):

　　主要用于调整PWM IC 的VCC 电压，以目前使用的3843 而言，设计时VCC 必须大于8.4V(Min. Load 时)，但为考虑输出短路的情况，VCC 电压不可设计的太高，以免当输出短路时不保护(或输入瓦数过大)。

　　3.3.11 C7(滤波电容):

　　辅助电源的滤波电容，提供PWM IC 较稳定的直流电压，一般使用100uf/25V 电容。

　　3.3.12 Z1(Zener 二极管):

　　当回授失效时的保护电路，回授失效时输出电压冲高，辅助电源电压相对提高，此时若没有保护电路，可能会造成零件损坏，若在3843VCC 与3843 Pin3 脚之间加一个Zener Diode，当回授失效时ZenerDiode 会崩溃，使得Pin3 脚提前到达1V，以此可限制输出电压，达到保护零件的目的.Z1 值的大小取决于辅助电源的高低，Z1 的决定亦须考虑是否超过Q1 的VGS耐压值，原则上使用公司的现有料(一般使用1/2W 即可).

　　3.3.13 R2(启动电阻):

　　提供3843 第一次启动的路径，第一次启动时透过R2 对C7 充电，以提供3843 VCC 所需的电压，R2 阻值较大时，turn on的时间较长，但短路时Pin 瓦数较小，R2 阻值较小时，turn on的时间较短，短路时Pin 瓦数较大，一般使用220KΩ/2W M.O。.

　　3.3.14 R4 (Line Compensation):

　　高、低压补偿用，使3843 Pin3 脚在90V/47Hz 及264V/63Hz 接近一致(一般使用750KΩ~1.5MΩ 1/4W 之间)。

　　3.3.15 R3，C6，D1 (Snubber):

　　此三个零件组成Snubber，调整Snubber 的目的:1.当Q1 off 瞬间会有Spike 产生，调整Snubber 可以确保Spike 不会超过Q1 的耐压值，调整Snubber 可改善EMI. 一般而言， D1 使用1N4007(1A/1000V)EMI 特性会较好.R3 使用2W M.O.电阻，C6 的耐压值以两端实际压差为准(一般使用耐压500V 的陶质电容)。

　　3.3.16 Q1(N-MOS):

　　目前常使用的为3A/600V 及6A/600V 两种，6A/600V 的RDS(ON)较3A/600V 小，所以温升会较低，若IDS 电流未超过3A，应该先以3A/600V 为考虑，并以温升记录来验证，因为6A/600V 的价格高于3A/600V 许多，Q1 的使用亦需考虑VDS是否超过额定值。

　　3.3.17 R8:

　　R8 的作用在保护Q1，避免Q1 呈现浮接状态。

　　3.3.18 R7(Rs 电阻):

3843 Pin3 脚电压最高为1V，