为磁共振成像设计耦合的微带谐振器

该曲线说明了在所选择的共振频率(即，200MHz)处的最小值。耦合微带线TEM谐振器的反射最小值在共振频率处很小(-63.33dB)。用方程4可以确定Qo等于400。  与最近得到的8元无负载耦合共轴TEM谐振器的品质因素(Qo=260)相比，从以上8元无负载耦合微带线TEM谐振器的几何和电学参数得到的这个无负载品质因素(Qo=400)很有吸引力。   


本文介绍了对于4.7T(即200MHz)磁共振图像的8元无负载耦合微带线TEM谐振器的分析和设计，具有很高的品质因素(Qo=400)。为了达到这个目的，有必要确定TEM谐振器的电磁参数。在200MHz处，这个问题可以使用Laplace方程结果进行估计。采用有限元方法获得该结果，因此我们可以确定电感和电容矩阵([L]和[C]矩阵)。当[L]和[C]矩阵已经确定，可以对所设计的TEM谐振器的RF端口处的S11进行频率响应仿真。从而可以估计MRI谐振器的无负载品质因素(Qo)。