六种无桥pfc的对比研究

采用mos, mos的体二极管恢复较慢(通常数百ns)会产生较大的电流倒灌脉冲, 引起很大的损耗, 足以抵消无桥低损耗的优势。

S1和S2如果采用IGBT, 虽然其体二极管的性能没问题, 但是其导通压降比较大, 也会产生很高的损耗, 尤其是在低电压输入的情况下。

现在有一些国外公司在研制GaN和SiC高性能开关管, 开关速度极快, 没有体二极管反向恢复问题, 这些技术尚在研发中, 现在是在市场上见不到这些产品的. 如果未来这些高性能器件能大规模普及,  图腾柱PFC将有机会成为最流行最高效的PFC拓扑。

假图腾柱PFC

在图腾柱PFC基础上演化而来 D2和D4代替了原来S1和S2内部的体二极管的续流作用。

控制方式和图腾柱PFC完全相同。

这种拓扑需要两个电感, 利用率不高, 体积较大, S2极难驱动。

这种拓扑只能算在高性能开关器件诞生前的一种这种方案。

介绍了这六种PFC, 每一时刻电流只通过两个功率开关器件, 比传统PFC的三个少, 在不使用软开关和交错技术的情况下, 理论上这些拓扑的损耗几乎相差无几, 都比传统PFC高。剩下的主要就从EMC和易于实现的角度考虑了。

综合考虑下来还是 采用标准无桥PFC作为现阶段的拓扑, GaN开关器件普及之后采用图腾柱PFC。

文章来源：微信公众号  融创芯城（一站式电子元器件、PCB、PCBA购买服务平台，项目众包平台）