MOSFET晶体管在移相ZVS全桥直流-直流转换器内的工作特性: 设计考虑因素和实验结果

4.    结论

本文探讨了MOSFET晶体管在移相零压开关转换器内的潜在故障风险。通过分析这个特定拓扑的开关状态转换顺序，本文重点分析了故障可能发生的关键工作条件，以及在这个拓扑内对电应力最敏感的位置。按照开关顺序将这个拓扑分为“超前桥臂”和“滞后桥臂”两部分，本文探讨了MOSFET晶体管的某些电特性，还提出了一个产品选型思路。在选型的时候，必须考虑超前桥臂对trr和Qrr限制要求。选择正确的开关管可以提高系统可靠性，降低开关管失效可概率，取得稳健可靠的设计。

1    STMicroelectronics AN2626, “MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter.”
2    Alexander Fiel and Thomas Wu, International Rectifier Applications Department, El Segundo, CA 90245, USA, “MOSFET Failure Modes in the Zero-Voltage-Switched Full-Bridge Switching Mode Power Supply Applications.”
3    Sampat Shekhawat, Mark Rinehimer and Bob Brockway, Discrete Power Group, Fairchild Semiconductor, AN-7536, “FCS Fast Body Diode MOSFET for Phase-Shifted ZVS PWM Full Bridge DC/DC Converter.”