4G时代的射频技术
时间:11-09
来源:电子工程专辑
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用GaN技术目前来说还显得有点奢侈。
在狄松看来,"未来几年,我们预计LDMOS还将继续占领市场主流。但我们同时看到,在一些高频段应用领域(比方说3.5GHz或更高频段),由于GaN的性能优势,对于效率要求较高的项目,GaN的方案会被应用在其中进行补充。"
另外,他还认为随着5G的推出和标准的逐步明确,各个器件供应商会推出集成度较高的器件,如RFIC等。如果频段较高,如工作在10GHz以上的频段,功放 可能会采用GaAs,GaN或更新的技术材料器件。对此,他觉得主要原因是因为用于手机上的射频功率放大器输出功率较小,相对基站功放来说,单芯片比较容 易满足多频段和多制式的要求。
小结
随着LTE的出现,智能手机需要支持的频段越来越多 ,给手机的设计带来了更大的难度,需要的射频器件也变得越多。这个必将促使射频厂商提供更多集成度更高、性能更好的产品。而未来哪种射频技术最合适,还需要市场的检验,就目前来说低成本的射频技术更加受手机厂商青睐。
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