电容技术选择的重要性：保证LDO的性能

输入旁路电容

在VIN和GND之间连接一个1 μF电容可以降低电路对PCB布局的敏感性，特别是在长输入走线或高信号源阻抗的情况下。如果输出端上要求使用1 μF以上的电容，则应增加输入电容，使之与输出电容匹配。

输入和输出电容特性

输入和输出电容必须满足预期工作温度和工作电压下的最小电容要求。陶瓷电容可采用各种各样的电介质制造，温度和电压不同，其特性也不相同。对于5 V应用，建议采用电压额定值为6.3 V至10 V的X5R或X7R电介质。Y5V和Z5U电介质的温度和直流偏置特性不佳，因此不适合与LDO一起使用。

图4所示为采用0402封装的1 μF、10 V X5R电容与偏置电压之间的关系。电容的封装尺寸和电压额定值对其电压稳定性影响极大。一般而言，封装尺寸越大或电压额定值越高，电压稳定性也就越好。X5R电介质的温度变化率在-40℃至+85℃温度范围内为±15%，与封装或电压额定值没有函数关系。


图4:电容与电压的特性关系

要确定温度、元件容差和电压范围内的最差情况下电容，可用温度变化率和容差来调整标称电容，

如公式1所示：CEFF = CBIAS × (1 – TVAR) × (1 –TOL)(1)

其中，CBIAS是工作电压下的标称电容；TVAR是温度范围内最差情况下的电容变化率（百分率）；TOL是最差情况下的元件容差（百分率）。

本例中，X5R电介质在–40℃至+85℃范围内的TVAR为15%；TOL为10%；CBIAS在1.8 V时为0.94 μF，如图4所示。将这些值代入公式1，即可得出：CEFF = 0.94 μF × (1 – 0.15) × (1 – 0.1) = 0.719 μF

在工作电压和温度范围内，ADP151的最小输出旁路电容额定值为0.70 μF，因而此电容符合该项要求。

总结

为保证LDO的性能，必须正确认识并严格评估旁路电容的直流偏置、温度变化率和容差。在要求低噪声、低漂移或高信号完整性的应用中，也必须考虑电容技术。所有电容都存在一些不够理想的行为效应，因此所选的电容技术必须与应用需求相适应。