功率P-FET控制器

3 高端功率开关  

图5 是由LTC4414组成的高端功率开关电路。由CTL端施加逻辑电平来控制P-MOSFET的通、断。该电路可由μC控制、电路控制或手动控制。CTL=L时，开关导通；CTL=H时，开关关断。

图5 高端功率开关

外围元器件的选择  

LTC4414的主要外围元器件是P-MOSFET、输入、输电容器CIN和COUT。  

1 P-MOSFET的选择  

为满足电路工作的可靠性，要选VDSS>VIN(max)及RDS(on)小的P-MOSFET。在VIN低、ILOAD大时，要保证ID>ILOAD(max)及RDS(on) ×I LOAD(max) ≤20mV。  

2　 C IN及C OUT的选择  

为保证在电源切换及负载有较大变化时输出电压稳定，选择合适的CIN及COUT很重要。  

C IN一般在0.1～10μF范围内选择，C OUT在1～47μF范围内选取。C IN及C OUT可选用多层陶瓷电容器（MLCC），其电容量大小是否合适最好通过实验来调整。  

在使用MLCC电容器时，因其ESR低，自身谐振频率及Q值高，有可能在AC适配器供电插拔瞬单间生高压脉冲而损坏LTC4414。因此，凌特公司建议在输入电容中串联几个Ω的电阻以降值Q值以防止瞬态高压的产生。在实验过程中可看V IN及S ENSE端的电压波形来调整电容量及增减串联在C IN电路中的各电阻值。  

应用领域  

该器件主要应用于大电流功率通路开关、工业控制及汽车、不间断电源（UPS）、逻辑电平控制的功率开关和带有备用电池的应急系统。