确定功率MOSFET的适用性

方程 (3) 也可用于重复脉冲的应用。重复脉冲的瞬态热阻可以下式表示：


其中，
t_{1}： 功率脉冲宽度

t_{2}：功率脉冲周期

方程 (4) 适用于无限脉冲串。在功率脉冲数目有限的情况下，应将公式第 1 项的 R JC 替换成 Z JC(t)。假设：在应用于开关电源的MOSFET 的源漏电压超过了产品数据表中所规定延迟时间内（在做短路测试时）的最大额定电压值。这个特定的情况下：FQA9N90C 作为开关器件、tAV=100ns、脉冲周期=9.2 s、保护电路触发延迟时间=20ms。这时，瞬态热阻将为：

Z_{ JC}(t)=0.01 Z_{ JC}(20ms)+(1-0.01) Z_{ JC}(9.3 s)+

Z_{ JC}(100ns)-Z_{ JC}(9.2 s)=0.00274

如果假设雪崩期间的功率损耗为 5kW，结区温度将升高为：

T=5kW 0.00274℃/W=13.7℃

这个额外的结区温度增加是由雪崩击穿所造成。因此，系统设计人员应首先计算正常工作情况下的结区温度，然后再加上上面算出的增量，以得出雪崩期间的瞬态结区温度。这个温度应当保持于最大允许结区温度以下的水平，并且根据具体情况保留一定的安全余量。

结论

系统设计人员常常需要确定功率 MOSFET 在其应用中的适用性。这项工作可利用雪崩模式分析和/或结区温度分析来进行，而两种方法都非常实用和可行。