对双向可控硅内部电路的探讨
时间:05-18
来源:互联网
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3 电路制作与实验验证
为了验证所设计电路,采用比较常用的NPN三级管S8050和PNP三极管S8550来设计制作实际的测试电路板(PCB),如图5所示。图6 中所标识的T2、T1和G与图5所示的相同,也类似于双向可控硅的T2、T1和G三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试,所得结果如图7所示,在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0,当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。
该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时,其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号,探针2接模块电路的两端T1-T2之间的电压。在触发信号为0是,T1-T2之间的电压等于电源电压值,表明该电路没有导通,当触发信号脉冲到来时,T1-T2两端的电压值为0,表明模块电路已经导通。
4 结束语
在详细解读了双向可控硅的内部结构和工作原理的基础之上,设计了一款以7个三极管为主要元器件和电阻电容可以被双向触发的控制电路。利用常用的对管S8050和S8550制作出实验电路验证了该电路的正确性。在今后具体运用过程中可以通过对此电路的相关器件做适当调整来满足具体的需求和设计要求。同时,利用所设计的电路形象具体地解释了双向可控硅的工作原理与过程。
参考文献:
[1] B. Jayant Baliga, Power Semiconductor Devices[M]. PWS publishing Company, Boston. ISBN 0-534-94098-6.
[2] Adel. S. Sedra and Kenneth. C. Smith, Microelectronics Circuits [M]. 5th edit, Oxford, 2003.
[3]A. Bourennane, M.Breil, L.Sanchez, P.Austin, J.Jalade. A new triggering mode in a vertical bi-directional MOS-thyristor device [J]. Microelectronics Journal, Volume 35, Issue 3, March 2004, Pages 277-285.
[4]. R.L.Avant, F.C.Lee, and D.Y.Chen, A practical SCR Model for Computer Aided Analysis of AC Resonant Charging Circuits [J], IEEE,July,1981, :232-243.
[5] LAWRENCE J.GIACOLETTO,Simple SCR and TRIAC PSPICE Computer Models[J].IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS,1989,36(3):451-455.
[6] Jr.Nick Holonyak.The Silicon p-n-p-n Switch and Con-trolled Rectifier (thyristor) [J].IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2001, 16(1):8-16.
[7] RAONIC D M.TRIACS Self-Supplied Gate Driver for Medium-Volta Application with Capacitor as Storage Element [J].IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS,2000,36(1):212-216.
作者简介:
袁越阳:湖南汉寿人,工学硕士,现工作于苏州工业园区一外资企业,主要从事电子技术应用和嵌入式单片机应用方面的产品开发与研究,业余以实践工作为基础来从事对职业技术教育与自我学习方面的探索。联系邮箱:sunmoonanfen at 163.com
为了验证所设计电路,采用比较常用的NPN三级管S8050和PNP三极管S8550来设计制作实际的测试电路板(PCB),如图5所示。图6 中所标识的T2、T1和G与图5所示的相同,也类似于双向可控硅的T2、T1和G三个接线极。利用该模块电路串入负载接通正或负的直流电源和触发信号来测试,所得结果如图7所示,在正或负触发信号接入前电流表上的指示为0,当正或负触发信号接通并撤离后电流表指示依然保持原来的电流值。该实验表明该电路在正负电源供电情况下能双向触发导通。
该模块电路在接通交流电源和脉冲控制信号时,其测验结果如图8所示。示波器探针1接触发信号,探针2接模块电路的两端T1-T2之间的电压。在触发信号为0是,T1-T2之间的电压等于电源电压值,表明该电路没有导通,当触发信号脉冲到来时,T1-T2两端的电压值为0,表明模块电路已经导通。
4 结束语
在详细解读了双向可控硅的内部结构和工作原理的基础之上,设计了一款以7个三极管为主要元器件和电阻电容可以被双向触发的控制电路。利用常用的对管S8050和S8550制作出实验电路验证了该电路的正确性。在今后具体运用过程中可以通过对此电路的相关器件做适当调整来满足具体的需求和设计要求。同时,利用所设计的电路形象具体地解释了双向可控硅的工作原理与过程。
参考文献:
[1] B. Jayant Baliga, Power Semiconductor Devices[M]. PWS publishing Company, Boston. ISBN 0-534-94098-6.
[2] Adel. S. Sedra and Kenneth. C. Smith, Microelectronics Circuits [M]. 5th edit, Oxford, 2003.
[3]A. Bourennane, M.Breil, L.Sanchez, P.Austin, J.Jalade. A new triggering mode in a vertical bi-directional MOS-thyristor device [J]. Microelectronics Journal, Volume 35, Issue 3, March 2004, Pages 277-285.
[4]. R.L.Avant, F.C.Lee, and D.Y.Chen, A practical SCR Model for Computer Aided Analysis of AC Resonant Charging Circuits [J], IEEE,July,1981, :232-243.
[5] LAWRENCE J.GIACOLETTO,Simple SCR and TRIAC PSPICE Computer Models[J].IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRIAL ELECTRONICS,1989,36(3):451-455.
[6] Jr.Nick Holonyak.The Silicon p-n-p-n Switch and Con-trolled Rectifier (thyristor) [J].IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2001, 16(1):8-16.
[7] RAONIC D M.TRIACS Self-Supplied Gate Driver for Medium-Volta Application with Capacitor as Storage Element [J].IEEE TRANSACTIONS ON INDUSTRY APPLICATIONS,2000,36(1):212-216.
作者简介:
袁越阳:湖南汉寿人,工学硕士,现工作于苏州工业园区一外资企业,主要从事电子技术应用和嵌入式单片机应用方面的产品开发与研究,业余以实践工作为基础来从事对职业技术教育与自我学习方面的探索。联系邮箱:sunmoonanfen at 163.com
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