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基于S参数对射频开关模型进行高频验证

时间:05-13 来源:互联网 点击:

相减(相长 和相消 干涉). 如果系统(本例中为传输线路)匹配50 Ω,则信号路径上不会发生发射,信号保持不变。然而,如果信号遇到开路,反射将与信号相加,使之加倍;如果信号遇到短路,反射将通过相减与之抵消。

如果信号遇到一个端接电阻,其值稍高于正确的匹配阻抗,则在TDR响应中会看到一个凸起;若端接电阻值稍低于匹配阻抗,则在TDR响应中会出现一个凹陷。对于容性或感性端接,将看到相似的响应,因为电容在高频时短路,电感在高频时开路。

在所有影响TDR响应精度的因素中,最重要的一个是沿信号路径发送的TDR脉冲的上升时间。脉冲的上升时间越快,则TDR可以分辨的特征越小。

根据TDR设备设定的上升时间,系统可以检测的两个不连续点之间的最短空间距离为:
\ (9)

其中:

lmin = 从信号源到不连续点的最短空间距离

c0 = 光在真空中的传播速度

trise = 系统的上升时间

εeff = 波在其中行进的介质的有效介电常数

若是检测相对较长的传输线路,20 ps到30 ps的上升时间即足够;但若要检测集成电路器件的阻抗,则需要比这快得多的上升时间。

记录TDR阻抗测量结果有助于解决传输线路设计的各种问题,如错误的阻抗、连接器结点引起的不连续以及焊接相关问题等。

精确记录S参数

一旦完成PCB和系统的设计与制造,就必须在设定的功率和一系列频率下利用VNA记录下S参数;VNA应经过校准,确保记录的精确性。校准技术的选择取决于多种因素,如目标频率范围和待测器件(DUT)所需的 参考平面等。

校准技术

图4显示了双端口系统的完整12项误差模型及其系统性影响和误差源。测量频率范围会影响校准选择:频率越高,则校准误差越大。随着更多误差项变得显著,必须更换校准技术以适应高频影响。

完整的双端口12项误差模型

图4. 完整的双端口12项误差模型

一种广为采用的VNA校准技术是SOLT(短路、开路、负载、透射)校准,也称为TOSM(透射、开路、短路、匹配)校准。它很容易实现,只需要一组已知的 标准元件,并在正向和反向两种条件下进行测量。标准元件可以随同VNA一起购买,或者从其他制造商购买。对标准元件进行测量后,就可以确定实测响应与已知 响应的差异,从而计算系统性误差。

SOLT校准将VNA测量的参考平面定位于校准期间所用同轴电缆的端部。SOLT校准的缺点是:参考平面之间的任何互连,包括SMA连接器和PCB走线等,都会影响测量;随着测量频率提高,这些会变成更大的误差源。SOLT校准只能消除图4中显示的6个误差项,但它能为低频测量提供精确的结果,并具有容易实施的优点。

另一种有用的VNA校准技术是TRL(透射、反射、线路)校准。该技术仅基于短传输线路的特征阻抗。利用两条传输线路彼此相差较短长度的两组双端口测量结果 及两组反射测量结果,就可以确定完整的12项误差模型。可以在DUT的PCB上设计TRL校准套件,以便利用该校准技术消除传输线路设计和互连引起的误 差,并将测量的参考平面从同轴电缆移动到DUT引脚。

以上两种校准技术各有长处,但TRL可以消除更多误差源,因而能够为高频测量提供更高 的精度。然而,TRL需要精确的传输线路设计和目标频率下的精确TRL标准元件,因此更难以实施。SOLT的实施则相对简单,因为大多数VNA都带有可以 在宽频率范围内使用的SOLT标准套件。

PCB设计和实现

为了正确校准VNA,适当的PCB设计至关重要。TRL等技术可以补偿PCB设计的误差,但无法完全消除误差。例如,设计采用TRL校准的PCB时,S21(如RF继电器的插入损耗等)的值必须很低,为了精确测量S参数,需要考虑透射标准的回损(S11, S22) 回损是指阻抗不匹配导致反射回信号源的输入功率。无论PCB走线的设计多么好,总是存在一定程度的不匹配。大多数PCB制造商只能保证?5%的阻抗匹配精 度,甚至达到这一精度也是勉为其难。这种回损会导致VNA指示的插入损耗大于实际存在的插入损耗,因为VNA"认为"它向DUT发送了比实际发送量更大的 功率。

随着要求的插入损耗水平的降低,将有必要减少透射标准贡献给校准的回损量。而测量频率越高,就越难以做到这一点。

要减少TRL设计的校准标准的回损,有几点需要特别注意。首先,传输线路设计非常重要,需要与PCB制造商密切协调,确保使用正确的设计、材料和 工艺来实现所需的阻抗与频率曲线。连接器件的选择至关重要,必须能够在相关范围内满意地工作。选定连接器件后,还有必要确保连接器与PCB之间的结点设计良好,如若不然,它可能会破坏同轴电缆与PCB传输线路之间所需的50 Ω阻抗,导致系统回损增大。许多连接器制造商都会提供高频连接器的正确

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