降低W-CDMA手机RF功率的方法

扩频无线通讯标准IS-95/3GPP对线性度和相邻通道功率比(ACPR)做出了严格规定。为满足要求，宽频码分多址(W-CDMA)无线手机中要求采用高线性度的A类或A-B类RF功率放大器。不过，在输出功率为+28dBm时，这种类型功率放大器的功率附加效率(PAE)最大只有35%左右；如果输出功率降低，则PAE值更低。

在通话模式下功率放大器不会持续工作。当手机用户不说话时，功率放大器就会以半速率(50%工作时间)或1/8速率工作，所以在通话模式时无需担心手机发热。但是在数据模式下，功率放大器会一直工作直到数据传输完毕。功率放大器的低效率及连续作业很快就会耗尽电池电量，而随之产生的内部功耗还会使手机过热。

对支援高速数据传输服务的早期W-CDMA手机而言，功耗是一个主要难题。它迫使设计人员使用更大的散热片、更强的冷却气流以及更大容量的电池。幸运的是，在过去几年中，随着CDMA和W-CDMA手机用功率放大器在功效方面取得显着进步，上述问题已经得到了缓解。

在CDMA和W-CDMA系统，功率放大器的RF功率输出并非总是最大。为最佳化蜂巢式容量(基地台能同时处理的传输通道数量)，每支手机都要控制各自的RF输出功率，以便基地台接收到的有效讯号噪音比程度对每只手机而言都是相同的。

从特定区域内许多手机的RF输出功率程度概率分布可知，一部标准的CDMA或W-CDMA手机的平均输出功率为：郊区+10dBm左右；市内+5dBm左右。所以，提高功率放大器效率的一个有效目标并不是最大功率程度，而是在+5dBm到+10dBm之间寻找一个合适的范围。

CDMA和W-CDMA功率放大器需要两个供电电压(见图)。VREF为内部驱动器阶和功率放大器阶提供偏置，而VCC则用来偏置驱动器和功率放大器的集电极。透过调整这两个电压，设计人员能够降低功率放大器的供电电流。

当RF发射功率为零时，功率放大器会自动将静态电流拉到100mA(典型值)，而此时VREF和VCC分别为3V和3.4V。将VREF从3V降到2.9V能使静态电流降低大约20mA。

F1：CDMA/W-CDMA手机功率放大器设计中需要两个

供电电压：Vref和Vcc。可透过调整这两个电压减小功率放大器的工作电流。

所以，设计人员透过降低VREF可以在很大程度上减少功率放大器的静态电流，但是要保证功率放大器的线性度和ACPR不低于规范要求。

降低VREF和VCC

如果我们掌握了经验数值，能够根据功率放大器的不同输出功率程度提供所需最小的VREF电压，那么就能主动地把VREF控制与放大器的功率控制过程结合起来。如果这种方法难度太高，我们可以简单地对VREF进行两阶调控，分别对应于低功率模式(小于10dBm)和高功率模式(大于10dBm)。

为了透过基频控制D/A转换器对VREF进行调整，我们选用了一个具有大输出电流能力和外部增益调节的低功率运算放大器。

在典型的无线手机中，功率放大器的VCC直接取自单单元锂离子电池，因此VCC的工作范围在3.2V到4.2V之间。如上所述，统计数据表明CDMA和W-CDMA的功率放大器多数时间工作在+5到+10dBm的功率程度。

在这样的程度下，设计人员可以在不损失功率放大器线性度的情况下显着降低VCC，同时减少因集电极偏置过大产生的功耗。

在低功率程度的实验测试表明，在集电极偏置持续低于0.6V的情况下，我们仍能保持与基地台间的正常通讯。

透过一个特殊设计的高效dc/dc降压转换器可以为功率放大器集电极提供可变的偏置电压。

我们可以利用基频处理器的一个专门数位类比转换器输出来调整该降压转换器的输出电压。

控制功率放大器集电极电压的dc/dc转换器必须能对控制讯号做出快速响应。通常，在来自基频处理器的模拟控制电平变化后的30微秒内，dc/dc转换器的输出电压应该稳定在新设定电压值的90%以内。

该转换器晶片在其VCC控制输入和对功率放大器集电极实施偏置的输出电压之间提供适当的内部增益。它还在高频率进行开关动作以减小电感的大小。

在功率放大器和电池之间连接dc/dc转换器会使一个问题变得突出，即在低电池电压下需要高RF功率。为了提供+28dBm的RF功率同时维持功率放大器的线性度指标，制造商们推荐最小的VCC是3.4V。为了在3.4V电压下保持35%的PAE，我们还需要高达530mA的功率放大器集电极电流。

+28dBm的RF功率：102.8 mW = 631mW

所需的功率放大器功率(VCC ICC)：631mW/(PAE/100)?1,803mW。

在VCC=3.4V时，所需的功率放大器电流(ICC)：ICC = 1,803mW/3.4V = 530mA。

为了支援3.4V的VCC和530mA的ICC，充当功率放大器电源的dc/dc转换器要求有一定的输入－输出余量。

例如，如果该转换器的内部P沟道MOSFET(PFET)的导通阻抗是0.4Ω，而电感阻抗是0.1