零电压IGBT软开关
时间:01-25
来源:互联网
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1、硬开关与软开关
(1)硬开关:开关的开通与关断伴随着电压和电流的剧烈变化,产生较大的开关损耗和开关噪声。
(2)软开关:在主电路中加上小电感或电容等谐振元件,这样开关管的通、断前后引入谐振,开关条件得到改善,从而降低开关损耗和开关噪声。
2、电压IGBT软开关
IGBT是功率MOSFET和双极型晶体管组成的复合器件,IGBT比起MOSFET的优越性在于它可以节约硅片的面积及具有双极型晶体管的电流特性。
3、电路组成
感应加热电源随着工业的发展要求,其功率越做越大。这样,在中小功率场合广泛应用的MOSFET已不能满足功率要求。在高压大功率的电源上,IGBT成为主角。可是IGBT具
有较大的功率损耗。我们在移相全桥PWM硬开关的基础上,增加一个谐振电感,形成了应用IGBT的PB—ZVS—PWM变换器。
4、输入低电压限制
该电源的最低输入电压为320V,当输入的电压低于正常工作需要的最低电压时,正常的情况下一般要进行关机操作,但是,这样会使电压型控制的电源进入“闭锁”模式,即输出的占空比达到最大值,无法对输出进行调节,当输入电压又回到正常值时,就会损坏电源和负载。另外,输入电压越低,通过功率开关管的电流就‘越大,会使开关管因功耗过大而损坏,为此我们在输入端上用一个简单的电压比较器而很好地解决了此问题。
(1)硬开关:开关的开通与关断伴随着电压和电流的剧烈变化,产生较大的开关损耗和开关噪声。
(2)软开关:在主电路中加上小电感或电容等谐振元件,这样开关管的通、断前后引入谐振,开关条件得到改善,从而降低开关损耗和开关噪声。
2、电压IGBT软开关
IGBT是功率MOSFET和双极型晶体管组成的复合器件,IGBT比起MOSFET的优越性在于它可以节约硅片的面积及具有双极型晶体管的电流特性。
3、电路组成
感应加热电源随着工业的发展要求,其功率越做越大。这样,在中小功率场合广泛应用的MOSFET已不能满足功率要求。在高压大功率的电源上,IGBT成为主角。可是IGBT具
有较大的功率损耗。我们在移相全桥PWM硬开关的基础上,增加一个谐振电感,形成了应用IGBT的PB—ZVS—PWM变换器。
4、输入低电压限制
该电源的最低输入电压为320V,当输入的电压低于正常工作需要的最低电压时,正常的情况下一般要进行关机操作,但是,这样会使电压型控制的电源进入“闭锁”模式,即输出的占空比达到最大值,无法对输出进行调节,当输入电压又回到正常值时,就会损坏电源和负载。另外,输入电压越低,通过功率开关管的电流就‘越大,会使开关管因功耗过大而损坏,为此我们在输入端上用一个简单的电压比较器而很好地解决了此问题。
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