基于ARM9内核Processor外部NAND FLASH的控制实现
时间:07-30
来源:互联网
点击:
4 NAND FLASH在系统中的读写速度
经过测试在该系统平台中,OS为Palm OS 5.4;CPU使用PXA270 312 MHz;SDRAM使用Samsung的16data width HYB25L256160AF-7.5@104 MHz;NANDFLASH选用Samsung 128 MB 8 b I/O NAND LASHK9F1G08U0A达到在文件系统下面的读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,在手持式设备中运用性能已经够了。
经过测试在该系统平台中,OS为Palm OS 5.4;CPU使用PXA270 312 MHz;SDRAM使用Samsung的16data width HYB25L256160AF-7.5@104 MHz;NANDFLASH选用Samsung 128 MB 8 b I/O NAND LASHK9F1G08U0A达到在文件系统下面的读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,在手持式设备中运用性能已经够了。
- 基于P89C61x2/ISP1581的USB接口电路的设计(02-13)
- 行波管关断方式对应用系统可靠性的影响(06-24)
- 基于VME总线的RDC接口电路设计(06-29)
- 单芯片集成电路优化自适应转向大灯系统的设计 (07-12)
- 单片机应用系统的抗干扰技术(08-07)
- 基于FPGA的线阵CCD驱动器设计(11-26)
