TIP41C低频大功率平面晶体管芯片设计

由于作者所在单位的生产车间设计比较简单，车间环境净化程度不高，因此，在一次氧化、基区扩散工艺中采用TCA工艺来对一次氧化、二次氧化过程中Na+的污染进行有效控制，发射区扩散采用P-吸杂工艺来控制三次氧化过程中Na+的产生，表面钝化则采用PI胶工艺来保证外界环境不影响芯片表面，同时进一步吸收、稳定氧化层正电中心的移动，从而使芯片ICEO漏电大大减少，目前，TIP41C的电参数达到国际先进水平。

4 结束语

大量生产数据表明，我司设计的TIP41C晶体管芯片生产成本低，芯片尺寸1.78×1.78 mm2(为目前市场最小)，生产原材料完全采用国产材料，目前，该芯片的关键电参数(大电流特性和饱和压降)已达到国际先进水平，因而具有极强的市场竞争力。