CMOS图像传感器与CCD的比较及发展现状

五、发展现状
　　当前，CM OS 图像传感器主要朝着高分辨率、高动态范围、高敏度、超微型化、数字化、多功能化的方向展。1996 年就有采用0.5m CM OS 工艺开发出2048×2048 阵列的CM OS 图像传感器的报道。当采用0.25mCM OS 工艺时，相信将生产出阵列更高的传感器通过采用新工艺和改善相关双采样电路能有效降低固定模式噪声，减小暗电流；通过采用棱镜可使填充系数超70% ; 通过在像素单元下面使用一层掺杂层可使填充系数达到100% 。一种阶跃的复位栅电压技术能将APSCM OS 图像传感器的动态范围提高90dB; 采用ASIC技术的薄膜图像传感器允许增强局部像元对比度， 可使动态范围达到120dB. 再考虑到CM OS图像传感器具有体积小、功耗低、高集度、新型USB 计算机接口及红外接口技术这些突出的优点， 相信一个崭新的数字图像技术时代即将来临。