延长Flash存储器使用寿命的研究

5 性能分析

很明显，在数据读取的时候增加了一步地址重映射的计算。这样使整体性能会略微下降。下面分析一下加入地址重映射之后的性能影响(这里仅仅分析数据的读取性能，因为对Flash操作最多的是数据的读取，用户使用时也是读取最多)。

地址重映射是根据输入的地址计算操作地址的。从图4可以看出，地址重映射的计算是加在地址A25输入之后的，因其在内部操作，延时相对很小。而这个地址重映射在整个块操作之中只操作一次，且其使用时间很短，故在这里可以忽略不计，其对数据的读取操作基本没有影响。



加入地址重映射之后，坏块全部集中到了整个Flash设备的最后。也就是说，即使这个Flash中有1024个块坏了，仍然可以当其为一个32 MB的Flash来使用，即其有效块为第0～1 023块；不像前面所描述的那样，就算只有第一个块坏了，这个Flash也就报废了。经过加入地址重映射之后的Flash，即使就剩下一块没有损坏的块了，这个Flash仍然可以作为引导系统使用。

6 结论

通过在Flash内部加入地址重映射机制，对于使用Flash将会有很大的方便，并且，即使第一个块坏了，仍可以继续使用这个Flash，而无需厂家保证第一个块是好的。这样大大延长了Flash的使用寿命，仅仅在坏块达到一定数量的时候才需要换一个。

参考文献

1. 彭兵,步凯,徐欣.NANDFlash坏块管理研究[J].微处理机,2009(2):113.
2. Samsung Electronics.K9F1208UOM 64MX 8 Bit NAND Flash MEMORY USER's M A NUAL.Reversion 0.9.
3. Samsung Electronics.S3C2440 32-BIT CMOS MICROCONTROLLER USER'S MANUAL,Reversion 1.0.
  
作者：大连交通大学 王刚  关苹苹  宋涛  刘俊阳   来源：《单片机与嵌入式系统应用 》 2009（11）