开关电源芯片测试温升过高?您选对充电器芯片厂家了吗?
时间:08-10
来源:互联网
点击:
充电器芯片厂家在实际使用傍边会呈现温升高的原因往往是跟变压器的损耗是有关的,变压器的损耗越大,它的温升天然就越高。有人会说,你们不是做开关电源芯片的吗?怎样提到变压器了呢,其实这儿面的学识很大。
电源芯片SF5533
温度对开关电源功率的影响也是很难预期估量的,因而温度改变对占空比的影响也很难估量。温度升高使有些损耗升高,而有些损耗下降。然而保守预算中,最少应考虑温度升高时对MOSFET管导通压降的影响。低压MOSFET(额定值约为30V),当开关管温度从室温到发热时,RDS(导通阻抗)一般将会添加30%~50%,故一般将室温下的导通阻抗乘以1.4便可得到发热时的导通阻抗。而一般用于离线式开关电源的高压MOSFET中,RDS添加到达80%~100%。所以在求取发热时的导通阻抗时,应乘以系数1.8。
找到了温升高的底子问题所在,那么问题就迎刃而解了,银联宝科技为许多客户处理了这个烦恼,不只技能杰出,并且效劳也是一流的,虽然温升高是变压器的问题,可是我们的工程仍是很有耐心地问客户处理问题。得到许多客户的好评和认可!
电源芯片SF5533
温度对开关电源功率的影响也是很难预期估量的,因而温度改变对占空比的影响也很难估量。温度升高使有些损耗升高,而有些损耗下降。然而保守预算中,最少应考虑温度升高时对MOSFET管导通压降的影响。低压MOSFET(额定值约为30V),当开关管温度从室温到发热时,RDS(导通阻抗)一般将会添加30%~50%,故一般将室温下的导通阻抗乘以1.4便可得到发热时的导通阻抗。而一般用于离线式开关电源的高压MOSFET中,RDS添加到达80%~100%。所以在求取发热时的导通阻抗时,应乘以系数1.8。
找到了温升高的底子问题所在,那么问题就迎刃而解了,银联宝科技为许多客户处理了这个烦恼,不只技能杰出,并且效劳也是一流的,虽然温升高是变压器的问题,可是我们的工程仍是很有耐心地问客户处理问题。得到许多客户的好评和认可!
- 基于LabVIEW与PCI-1712L的变压器测试系统(11-08)
- 变压器油温测量及光纤通信系统的设计(03-10)
- 绝缘电阻测试仪的高压电源设计 (07-09)
- 旋转变压器在转子位置测量中的应用(07-03)
- 如何解决工业测量中的噪声干扰问题(08-13)
- 通过磁通轨迹特征识别变压器励磁涌流方法介绍(03-02)
