加速RF器件测试正确操作

到获得不同基极电流情况下所有的集电极I-V曲线。

仪器的同步

由于希望两台仪器都被编程(避免GPIB延迟)，我们希望测试设置中的所有仪器同步。开始，这并不成为问题。例如，如果几台SMU拥有同样的固件，且采用相同的测试参数对其编程，每一步的执行时间将相同。而困难来自存储器位置调用和自动距离修正(auto-ranging)步骤，这些步骤花费的时间不确定。

在类似这种情况下需要使用一个外部的、专门的触发控制器，以保证多个仪器的测量同时发生。在测试系统采用了不同厂家的设备，或者即使来自同样厂家但触发方法不同时，这特别有用。

过程如下所述(采用的实例参照了Keithley仪器，但类似的办法可用于其它厂家的仪器)：

1．触发控制器输出一个触发信号到每台仪器。

2．从存储器调用源存储器位置。

3．使能所有仪器的源输出。

4．每台仪器按照用户定义的延时执行。

5．一旦完成延时操作每台仪器给控制器输出一个触发信号。

6。触发控制器等待每台仪器输出的触发信号(延时输出)。

7．触发控制器给每台仪器发送一个触发信号(测量输入)。

8．每台仪器开始测量操作。

9．完成测量后，每台仪器给控制器发出一个触发信号。

10．触发控制器等待每台仪器输出的触发信号(测量输出)。

11．回到步骤1开始下一测试。

图3：a：集电极-发射极击穿电压，基极开路；b：集电极-发射极击穿电压，基极短路；c：集电极关断电流，ICBO，及集电极-基极击穿电压，发射极开路。

特定的三极管测试

HBT通常有两个重要的击穿电压需要测量：第一个是集电极-发射极击穿电压，可在基极开路或短路时测，图3a显示基极开路(BVCEO或V (BR)CEO)下测量集电极-发射极击穿电压的设置，图3b显示基极短路(BVCES或V(BR)CES)情况下测量集电极-发射极击穿电压的设置。另一个击穿电压是集电极-基极击穿电压(BVCBO或V(BR)CBO)，通常射极开路测量，图3c显示了该测试设置。在这些测量中，源-测量单元扫描HBT上的电压同时测量电流。在达到击穿电压之前，电流将保持非常恒定，达到击穿电压后，电流将突然增加。

通常RF功率三极管要测的其他参数有集电极-发射极持续电压，BVCEO(sus)或VCE(sus)，在基极-发射极之间的结上采用反向偏置时集电极-发射极的击穿电压(BVCEV或BVCEX),以及集电极开路时的发射极-基极击穿电压(BVEBO)。

结漏电流

描述器件关断时的漏电流也非常重要，因为在器件不工作时，漏电流将浪费功率，会缩短电池供电设备的工作时间。最常测量的漏电流参数是集电极关断电流(ICBO)，在集电极和基极之间测量，发射极开路(图3c)。基极反向偏置漏电流，也称为发射极关断电流或发射极-基极关断电流(IEBO)，是另一个最重要的漏电流，它是器件关断时基极的漏电流。