一种低温漂输出可调带隙基准电压源的设计
时间:07-22
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在A/D和D/A转换器、数据采集系统以及各种测量设备中,都需要高精度、高稳定性的基准电压源,并且基准电压源的精度和稳定性决定了整个系统的工作性能。电压基准源主要有基于正向VBE的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种实现方式,其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比、低基准电压等优点,因而得到了广泛的应用。
本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上,采用电流反馈、一级温度补偿等技术,同时在电路中加入启动电路,设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在SMIC 0.25μm CMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真。
1 带隙基准电压源工作原理与传统结构
带隙基准电压源的原理就是利用PN结电压的负温度系数和不同电流密度下两个PN结电压差的正温度系数电压VT相互补偿,使输出电压达到很低的温度漂移。
1.1 带隙基准电压源工作原理
图1为温度对二极管伏安特性的影响。
可以看出,温度升高,保持二极管正向电流不变时所需正向偏压减小,温度系数为:-1.9 mV/℃~2.5 mV/℃。
PN结电流与外加电压的关系为:
图2(a)为带隙电压基准源的原理示意图。
结压降VBE在室温下温度系数约-2.0 mV/K,而热电压VT(VT=k0T/q),在室温下的温度系数为0.085 mV/K,将VT乘以常数k并与KBE相加,可得到输出电压Vref为:
将式(1)对温度T进行一次微分,并在室温下等于0(输出电压在室温下的理论温度系数等于0),解得常数k,即
1.2 传统带隙基准电压源结构
图2(b)是传统的CMOS带隙电压基准源电路,图中运算放大器的作用是使电路处于深度负反馈状态,从而让运算放大器两输入端电压相等。
在电路稳定输出时:
由式(3)、式(4)得:
式中:k为常数,
由于实际的运算放大器存在一定的失调电压VOS,所以实际输出电压为:
由式(7)可得,运算放大器的失调电压会导致比较大的基准输出电压误差。运算放大器的失调电压VOS包括自身的失调、电源电压变化引起的失调、工艺不匹配引起的失调及温度引起的失调,其中自身的失调占主要作用,所以在大多数带隙基准源电路中,一般采用两级高增益运算放大器作为反馈运放,以降低失调电压。传统带隙基准电压源结构虽然能输出比较精确的电压,但是所得到的精度有限,而且其基准电压范围有限(1.25 V左右),要想克服上述问题和限制,必须对传统基准源的结构有所改进。
2 CMOS带隙基准电压源电路结构
本设计是在SMIC 0.25μm CMOS工艺基础上完成的,设计中采用了一级温度补偿、电流反馈等技术。其电路结构如图3所示(不考虑虚线框R5部分)。
BGR核心电路中,晶体管Q1、Q2为使用标准CMOS工艺制造的二极管连接形式的PNP纵向三极管(BJT)。Q2和Q1的发射极面积的比为N,流过Q1和Q2的电流相等,这样△VBE就等于VTln(N)。流过电阻R1的电流I4是与热力学温度成正比的。流过M2、M3、M4的电流相等(I1=I2=I3),所以
参考电压Vref为:
通过调节R3与R1的比值和Q2与Q1发射极面积的比值,可以使输出电压参考在室温下的温度系数为0。
本设计还具有输出可调的特点,设计中采用文献[2]提到的在运算放大器两输入端与地之间加电阻的方法。由式(9)可看出,在调节了k值
后,可以方便地调节R4的值来调节参考电压的输出大小,正是由于运算放大器两输入端的接地电阻R2、R3的增加,使得总的镜像电流通过电阻R4后可以方便地改变输出大小,相比文献[3]中的二次分压结构更简单,更节省面积。
该带隙基准源的电流源不仅用于提供基准输出所需的电流,也用于产生差分放大器所需的电流源偏置电压,大大简化了电路的版图。设计中采用了高增益NMOS差分对运算放大器,根据文献[4],实验仿真结果显示,对于电源电压的直流变化,低电源抑制比的运算放大器也能实现电压跟随,Vref输出稳定。而在电源电压有交流干扰、特别是信号频率较高(>30 MHz)时,Vref输出端也有同频的交流信号,幅度近似于电源干扰信号的幅度,这时Vref已不能认为是恒定的输出。原因是运算放大器输出信号与电源信号之间存在明显的相位差。解决的方法有两种:第1种是提高运算放大器的单位增益带宽;第2种是降低运算放大器本身的PSRR(电源抑制比)。第1种方法会增大电路消耗的功率,对于第2种方法,我们采用低PSRR(电源抑制比)的运算放大器就可以实现,相比于文献[5]中使用的PMOS差分对运算放大器,我们采用相对较低PSRR的NMOS差分对运算放大器。
本设计中还增加了带隙基准源的启动电路,因为带隙基准源存在两个电路平衡点,即零点和正常工作点,当电路处在零点时,整个电路中没有电流流过,电路不能正常工作。启动电路应满足两个方面的要求:一是确保总有电流流过参考源中的晶体管,使得零状态处的环路增益大于1,避免陷入零状态;二是参考源启动后,启动电路不应干扰参考源的正常工作。当基准源工作在零点时,节点N1、N2的电压等于0,基准源没有电流产生。启动电路的目的就是为了避免基准源工作在不必要的零点上。本文设计了图3中所示的启动电路,电路由M11、M12和M13构成。当电路工作在零点时,N2点电压为0,M13管导通,迅速提高节点N1、N2的电压,产生基准电流;这时节点N1的电压通过M11和M12组成的反相器,使M13管完全截止,节点N1、N2的电压回落在稳定的工作点上,基准源开始正常工作而启动电路中没有电流流过。
本文在基于传统带隙电压基准源原理的基础上,采用电流反馈、一级温度补偿等技术,同时在电路中加入启动电路,设计了一个高精度、输出可调的带隙基准电压源,并在SMIC 0.25μm CMOS工艺条件下对电路进行了模拟和仿真。
1 带隙基准电压源工作原理与传统结构
带隙基准电压源的原理就是利用PN结电压的负温度系数和不同电流密度下两个PN结电压差的正温度系数电压VT相互补偿,使输出电压达到很低的温度漂移。
1.1 带隙基准电压源工作原理
图1为温度对二极管伏安特性的影响。
可以看出,温度升高,保持二极管正向电流不变时所需正向偏压减小,温度系数为:-1.9 mV/℃~2.5 mV/℃。
PN结电流与外加电压的关系为:
图2(a)为带隙电压基准源的原理示意图。
结压降VBE在室温下温度系数约-2.0 mV/K,而热电压VT(VT=k0T/q),在室温下的温度系数为0.085 mV/K,将VT乘以常数k并与KBE相加,可得到输出电压Vref为:
将式(1)对温度T进行一次微分,并在室温下等于0(输出电压在室温下的理论温度系数等于0),解得常数k,即
1.2 传统带隙基准电压源结构
图2(b)是传统的CMOS带隙电压基准源电路,图中运算放大器的作用是使电路处于深度负反馈状态,从而让运算放大器两输入端电压相等。
在电路稳定输出时:
由式(3)、式(4)得:
式中:k为常数,
由于实际的运算放大器存在一定的失调电压VOS,所以实际输出电压为:
由式(7)可得,运算放大器的失调电压会导致比较大的基准输出电压误差。运算放大器的失调电压VOS包括自身的失调、电源电压变化引起的失调、工艺不匹配引起的失调及温度引起的失调,其中自身的失调占主要作用,所以在大多数带隙基准源电路中,一般采用两级高增益运算放大器作为反馈运放,以降低失调电压。传统带隙基准电压源结构虽然能输出比较精确的电压,但是所得到的精度有限,而且其基准电压范围有限(1.25 V左右),要想克服上述问题和限制,必须对传统基准源的结构有所改进。
2 CMOS带隙基准电压源电路结构
本设计是在SMIC 0.25μm CMOS工艺基础上完成的,设计中采用了一级温度补偿、电流反馈等技术。其电路结构如图3所示(不考虑虚线框R5部分)。
BGR核心电路中,晶体管Q1、Q2为使用标准CMOS工艺制造的二极管连接形式的PNP纵向三极管(BJT)。Q2和Q1的发射极面积的比为N,流过Q1和Q2的电流相等,这样△VBE就等于VTln(N)。流过电阻R1的电流I4是与热力学温度成正比的。流过M2、M3、M4的电流相等(I1=I2=I3),所以
参考电压Vref为:
通过调节R3与R1的比值和Q2与Q1发射极面积的比值,可以使输出电压参考在室温下的温度系数为0。
本设计还具有输出可调的特点,设计中采用文献[2]提到的在运算放大器两输入端与地之间加电阻的方法。由式(9)可看出,在调节了k值
后,可以方便地调节R4的值来调节参考电压的输出大小,正是由于运算放大器两输入端的接地电阻R2、R3的增加,使得总的镜像电流通过电阻R4后可以方便地改变输出大小,相比文献[3]中的二次分压结构更简单,更节省面积。
该带隙基准源的电流源不仅用于提供基准输出所需的电流,也用于产生差分放大器所需的电流源偏置电压,大大简化了电路的版图。设计中采用了高增益NMOS差分对运算放大器,根据文献[4],实验仿真结果显示,对于电源电压的直流变化,低电源抑制比的运算放大器也能实现电压跟随,Vref输出稳定。而在电源电压有交流干扰、特别是信号频率较高(>30 MHz)时,Vref输出端也有同频的交流信号,幅度近似于电源干扰信号的幅度,这时Vref已不能认为是恒定的输出。原因是运算放大器输出信号与电源信号之间存在明显的相位差。解决的方法有两种:第1种是提高运算放大器的单位增益带宽;第2种是降低运算放大器本身的PSRR(电源抑制比)。第1种方法会增大电路消耗的功率,对于第2种方法,我们采用低PSRR(电源抑制比)的运算放大器就可以实现,相比于文献[5]中使用的PMOS差分对运算放大器,我们采用相对较低PSRR的NMOS差分对运算放大器。
本设计中还增加了带隙基准源的启动电路,因为带隙基准源存在两个电路平衡点,即零点和正常工作点,当电路处在零点时,整个电路中没有电流流过,电路不能正常工作。启动电路应满足两个方面的要求:一是确保总有电流流过参考源中的晶体管,使得零状态处的环路增益大于1,避免陷入零状态;二是参考源启动后,启动电路不应干扰参考源的正常工作。当基准源工作在零点时,节点N1、N2的电压等于0,基准源没有电流产生。启动电路的目的就是为了避免基准源工作在不必要的零点上。本文设计了图3中所示的启动电路,电路由M11、M12和M13构成。当电路工作在零点时,N2点电压为0,M13管导通,迅速提高节点N1、N2的电压,产生基准电流;这时节点N1的电压通过M11和M12组成的反相器,使M13管完全截止,节点N1、N2的电压回落在稳定的工作点上,基准源开始正常工作而启动电路中没有电流流过。
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