测量器件饱和功率和增益的方法

干扰测试时设备的热态，同时还必须符合频谱分析器的响应时间。1?s的脉冲时长和1ms的循环周期会有好结果。

　　这一段介绍的结果是基于对Freescale半导体为UMTS波段(MW4IC2230MB)设计的LDMOS电源RF集成电路的测量结果。它具有大约30dB的微信号增益和远大于+47dBm的饱和功率。由于它的高增益，它是有关该方法优点的一个完美范例。

　　输入变数衰减器最初被设置为它的最大值。DUT被连接，频谱分析器被连接到输出耦合器的耦合路径。当处于"清除/写"模式时，输入功率斜线在分析器屏幕上被描绘成一个不对称的锯齿形。然后，可变输入衰减器被断开，并且将开始出现DUT饱和的影响(斜线的顶部开始弯曲)。衰减不断减小直到锯齿形的顶端被切断，确保达到饱和。

　　用于频谱分析器的功能序列显示在图4中。此刻，频谱分析器连接到输入，且输入功率在第二条线迹(线迹2)获取，并保持在"观察"模式。图5中的黑色线迹即得。当在输出再连接分析器之后，从第三条线迹(线迹3)获得输出功率，同样也保持在"观察"模式。通过设置"输出偏差"值的参数等级偏差，该值在校准阶段被设为43.7dB，从"线迹3"可以直接读取以dBm为单位的绝对输出功率，图5中的绿线即得。通过在锯齿末端的平面区域安置标记，可以读取如图5 中绿线所示的饱和功率。MW4IC2230MB显示+47.23dBm的饱和功率。

功能序列

　　用于频谱分析器的功能序列显示在图6中。线迹1设定为计算"线迹1"减去"线迹2"，后者包含了输入功率。这样，新获取的输出功率将提供一个以dB为单位的增益图。"线迹位置"特征被用作获得直接读取以dB为单位的绝对增益的一个偏差。线迹偏差被设置为"输出偏差"减去"输入偏差"。这种情况下，"输入偏差"在校准阶段被确定为30.7dB，结果得到偏差值为13dB。该值不能直接作为以dBm为单位的偏差值加入，因为"线迹位置"清单只接受作为Y刻度百分比的输入。旋转钮用来获取与13dB偏差值相对应的正确百分比。图7中的蓝线即为所得。

　　增益(蓝线)和输出功率(红线)被同时绘制，且每个图都被"校准"，也就是说，标记读取值就是绝对值。标记1设置在蓝线上的微信号增益上，测量值为 29.8dB。该标记被用作"变量增量标记"的参数。还是增量曲线，一个标记被用于"变量增量标记"模式以确定1dB压缩级(标记2)，另一个以确定 3dB压缩级(标记3)。当挑选功率线迹后，第四个标记(绿线上的标记4)被设为与标记2或者标记3同样的横坐标，以便直接读取在1或3dB压缩级上的输出功率。在该例中，可获得+45.74dBm的1-dB压缩级和+46.69dBm的3dB压缩级。在脉冲条件下进行功率测量的方法允许在高功率RF晶体管和RF集成电路中被快速和方便地执行，消除了以往方法的局限性。