高频电路的一般设计方法及设计实例
合,可以选用单调谐放大器。为提高放大器的电压增益,可以选择多级放大器级联的电路形式。
(4)振幅调制器
振幅调制器的任务是将所需传送的信息"加载"到高频振荡中,以调幅波的形式传送出去。通常有低电平调幅和高电平调幅两种实现电路。
低电平调幅电路输出功率小,适用于低功率系统。它的电路形式有多种,如斩波调幅器、平衡调幅器、模拟乘法器调幅等,比较常用的是采用模拟乘法器形式制成的集成调幅电路,即集成模拟乘法器调幅。这种集成电路的出现,使产生高质量调幅信号的过程变得极为简单,而且成本很低。
高电平调幅电路输出功率大,一般在系统末级直接产生满足发射要求的调幅波。它的电路形式主要有集电极调幅和基极调幅两种。集电极调幅电路的优点是效率高,晶体管获得充分的应用;缺点是需要大功率的调制信号源。基极调幅电路的优缺点正好与之相反,它的平均集电极效率不高,但所需的调制功率很小,有利于调幅发射系统整机的小型化。
(5)功率放大器
功率放大器主要有甲类、甲乙类或乙类(限于推挽电路)、丙类功放,根据功放的输出功率和效率来确定选择哪一种。采用低电平调幅电路的系统,由于调制器输出信号为调幅波,其后的功率放大器必须是线性的(如甲类、甲乙类或乙类功放);而采用高电平调幅电路的系统,则在末级直接产生达到输出功率要求的调幅波,多以丙类放大器作为此时的末级电路。
2.设计任务单元电路形式的确定
根据以上对调幅发射系统单元电路形式的介绍,结合本设计任务的技术指标,确定各单元电路形式如下:由于技术指标中对主振器的频率和频率稳定度要求不高,所以,采用西勒振荡电路;缓冲级采用射极跟随器;低电平调幅电路采用集成模拟乘法器实现;高电平电路采用基极调幅电路。
(三)电路参数计算
根据以上确定的单元电路形式,下面给出具体的电路,以及组成电路的各元件值的计算方法。
1.主振器
图4为西勒振荡电路。它被接成共基极组态,Cb 为基极旁路电容。其静态工作点由偏置电阻Rb1、Rb2、Re、Rc 决定。电容C1、C2、C3、C4 与电感L1 组成振荡回路。振荡器输出信号一般尽可能从低阻抗点取出,以减弱外接负载对振荡幅度、频率稳定度的影响。本电路从发射极取出信号送给下一级。
(1)偏置电阻值的计算
偏置电阻决定静态工作点,所以,要先确定振荡器的静态工作电流ICQ。一般小功率振荡器的静态工作电流ICQ 为(1~4)mA,设计时可以在此范围内任取一值,如取ICQ=2mA。根据所选晶体管型号确定电流放大系数β的值。则:
为便于调整静态工作点,实际电路中Rb1 常用固定值的电阻与电位器串联。
(2)振荡回路元件值的计算
根据西勒振荡器的原理,C3<<C1,C3<<C2,回路的振荡频率f0 主要由C3、C4 和L1 决定,即
而一般谐振回路的电感L 与电容 值之间关系取为
由此确定L1、C3、C4 的值。
电容C1、C2 由反馈系数F=C1/C2,以及电路条件C3<<C1,C3<<C2 决定。一般F取1/8~1/2。
以上估算各电容值时,应尽量选取标称电容值。
为便于调整振荡频率,实际电路中C4 可用固定值的电容与可变电容器并联。
(3)旁路电容值的选取
一般应使旁路电容Cb 的容抗为与其并联的电阻值的1/20~1/10。但是,当与其并联的电阻值较大时,应当使Cb 的容抗为几十欧姆甚至几欧姆。
这里选取标称值 。
2.缓冲级
图5为射极跟随器电路,即共集电极组态的放大器。其静态工作点由偏置电阻Rb1、Rb2、Re 决定。C1、C2 分别为输入、输出耦合电容。
(1)偏置电阻值的计算
射极跟随器的静态工作电流ICQ 一般为(3~10)mA,设计时可以在此范围内任取一值,如取ICQ=4mA。根据所选晶体管型号确定电流放大系数?的值。而Rb1、Rb2、Re 值的计算方法,则与主振器中偏置电阻值的计算方法相同,请参照计算。
为便于电路调整,实际电路中Re 可用固定值的电阻与电位器串联。
(2)级间耦合电容的选取
级间耦合电容值的大小,主要由前后级之间的隔离度决定。为减小射随器对前级振荡电路的影响,耦合电容C1 不能太大,一般为pF级。而射随电路输出耦合电容C2 可以取大些,如 。
3.低电平调幅电路
采用集成模拟乘法器MC1496 构成的调幅电路,如图6所示。电路采用双电源供电方式。
载波信号从10脚(VX 端)输入,C3为高频旁路电容,使8脚交流接地;调制信号从1脚(VY 端)输入,C4为低频旁路电容,使4脚交流接地。调幅信号从12脚单端输出。电阻R6、R7、R8、R9、R10 提供静态偏置电阻,保证乘法器内部的各个晶体管工作于放大状态,阻值的选取应使得下列静态偏置电压关系式成立:
根据器件参数要求,5脚静态偏置电流I5 应小于4 mA,一般取I5=1mA,则
可见,在确定负电源电压VEE 后,可得电阻R5 的值。
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