利用有源偏置控制器偏置RF的最佳解决方案

GaAs器件常见的器件间栅极电压差异。因此，两个器件可能利用同一栅极电压来偏置，达不到最佳性能。

● 如果某个DUT由于短路或其他故障而消耗过大电流，偏置控制器会关闭所有受偏置的DUT。虽然这不会损坏器件，但会影响系统功能。

有源偏置控制器电路示例

利用HMC981LP3E偏置HMC460LC5

要利用HMC981LP3E偏置HMC460LC5，请执行如下程序：

● 将R10设置为426 Ω，以设置HMC981LP3E的IDD = 75 mA。可以使用常见电阻值430 Ω。

● 计算VDD值为8.75 V。

● 利用R4和R6确保VGATE电压在HMC981LP3E数据手册给出的绝对最大额定值以内。详情参见"调整默认VNEG和VGATE阈值"部分。

● 可以减小VGG分流电容值以增加上升时间（参见图26中的HMC460LC5）。详情参见"减少VGATE上升时间"部分。

图26.利用HMC981LP3E偏置HMC460LC5的应用电路

利用HMC980LP4E偏置HMC1082LP4E

要利用HMC980LP4E偏置HMC1082LP4E，请执行如下程序：

● 将R10设置为680 Ω，以设置HMC980LP4E的IDD = 220 mA。

● 计算VDD值为5.62 V。

● 利用R5和R7确保VGATE电压在HMC980LP4E数据手册给出的绝对最大额定值以内。详情参见"调整默认VNEG和VGATE阈值"部分。

● 可以减小VGG分流电容值以增加上升时间（参见图27中的HMC1082LP4E）。详情参见"减少VGATE上升时间"部分。

图27.利用HMC980LP4E偏置HMC1082LP4E的应用电路

*利用HMC980LP4E偏置HMC659LC5 *

要利用HMC980LP4E偏置HMC659LC5，请执行如下程序：

● 将R10设置为500 Ω，以设置HMC980LP4E的IDD = 300 mA。

● 使用常见电阻值510 Ω。

● 计算VDD值为8.84 V。

● 利用R3和R4设置HMC980LP4E的VGG2。

● 利用R5和R7确保VGATE电压在HMC980LP4E数据手册给出的绝对最大额定值以内。详情参见"调整默认VNEG和VGATE阈值"部分。

● 可以减小VGGx分流电容值以增加上升时间（参见图28中的HMC659LC5）。详情参见"减少VGATE上升时间"部分。

图28.利用HMC980LP4E偏置HMC659LC5的应用电路

*利用HMC920LP5E偏置HMC659LC5 *

要利用HMC920LP5E偏置HMC659LC5，请执行如下程序：

● 将RSENSE设置为549 Ω，以设置HMC920LP5E的IDD = 300 mA。

● 将R8设置为30.9 kΩ以设置VDRAIN = 8 V。

● 利用R20和R22确保VGATE电压在HMC920LP5E数据手册给出的绝对最大额定值以内。详情参见"调整默认VNEG和VGATE阈值"部分。

● 可以减小VGGx分流电容值以增加上升时间（参见图29中的HMC659LC5）。详情参见"减少VGATE上升时间"部分。

图29.利用HMC920LP5E偏置HMC659LC5的应用电路

结论

在上电和掉电期间，遵循外部偏置器件的建议偏置序列以确保器件安全。利用有源偏置控制器来操作放大器可确保器件按正确时序运行并处于所需的电平，从而改善系统整体性能。

ADI公司的有源偏置控制器系列可以满足外部偏置射频/微波器件（如FET、放大器、倍频器、光学调制器驱动器和频率转换器等）的偏置要求。DUT的栅极电压通过闭环反馈来调整，以提供所需的漏极电流。在上电和掉电期间，偏置控制器的VGATE、VDRAIN和VGG2输出的时序控制特性确保DUT受到很好的保护。