干扰噪声系统基础知识

乘积。

　　●振荡自然频率f1取决于串联的L和并入的C，f = 1/(2πLC)。

　　●阻尼时间常数T由L/R决定。

　　图5. 欠阻尼R-L-C电路的波形。

　　容性耦合噪声

　　噪声源至另一电路的容性耦合也会产生噪声。此类噪声常见于具有快速升降时间或高频成分的信号靠近高阻抗电路的情况。杂散电容将信号快速沿耦合至相邻电路，如图6的电路模型所示。阻抗Z的性质决定响应波形。表1列出了典型电容。

　　图6. 杂散电容将噪声耦合至高阻抗电路。

　　表1. 典型电容。

　　容性拾取发生的方式、形状和大小有多种。下面是几个示例：

　　●TTL数字信号产生快速沿，典型上升时间为10纳秒，电压摆幅为5 V。如果Z是1兆欧电阻，即使0.1pF也会产生5 V尖峰和100纳秒的衰减时间常数。

　　●两根相邻导线间可能产生串扰。例如，如果两根导线是10英尺(3米)长度的电缆，电容为40 pF/英尺，则总电容为400 pF。如果在一个导体上施加1 kHz的10 V测试电压，当Z是10 k电阻时，1 kHz的250 mV电压将耦合至相邻导线。

　　●通过公共阻抗在交流电力线上产生的噪声将耦合至其他电路。常见情况是瞬变通过电源变压器的绕组间电容耦合。

　　令人惊奇的是，小小的电容竟能导致严重问题。例如，考虑高抗扰度CMOS逻辑用于工业电路中的情况，电路中存在2500 V、1.5 MHz噪声瞬变(IEEE标准472-1974)。假设CMOS输入与噪声源之间仅有0.1 pF的杂散电容，如图7所示。计算出的噪声电压为2.4 V，稳态下，50 V的初始瞬变将导致逻辑运算错误，甚至更坏的情况!

　　图7. 高压瞬变从测试发生器耦合至逻辑。

　　磁耦合噪声

　　电缆载送电流、分配交流电源时，以及机器、电源变压器、风扇等附近均可发现强磁场。磁耦合电路与容性耦合电路间存在类似的关系，如图8和表2所示。

　　● 噪声为磁耦合时，电压噪声(Vn)表现为与接收机电路串联;而在容性情况下，接收机与地电压间产生的电压噪声是噪声电流in在Z中造成的电压。

　　●降低接收机阻抗Z可减少容性耦合噪声。磁耦合电路则不同;降低Z不会显著减少电压噪声。

　　图8. 磁噪声耦合与容性噪声耦合的比较。

　　表2. 容性耦合与磁耦合的特性。

　　此类比可帮助我们考量容性耦合噪声与磁耦合噪声间的差异。

　　磁场在闭合环路(单匝)内的感应电压Vn由下式给出：

　　Vn = 2πfBA cosθ×10-8 (1)

　　单位为伏特，其中f是正弦变化通量密度的频率，B是通量密度的均方根值(高斯)，A是闭合环路面积(cm2)，θ是B与面积A的角度。

　　例如，考虑图9所示电路。它显示的是两个一英尺导体的电压计算，导体相隔1英寸，置于10高斯60 Hz磁场内(对于风扇、电源布线、变压器很典型)导线内最大感应电压为3 mV。

　　上面公式说明，噪声电压可通过降低B、A或cosθ来减少。要降低B项，可增加与磁场源的距离，在磁场由流经导线对附近的电流引起的情况下，也可绞绕导线，通过交替方向将净磁场降至零。

　　 环路面积A可通过让导体彼此更加靠近来缩减。例如，如果本例中的导体相隔0.1"(仅靠绝缘分离)，噪声电压将减小至0.3 mV。如果将导体绞绕在一起，面积事实上会减小至很小的正负增量，从而消除(实际是抵消)磁噪声。

　　cosθ项可通过适当调节接收导线相对于磁场的方向来降低。例如，如果导体与磁场垂直，噪声可降至最低，如果导体在相同电缆内一起延伸(θ = 0)，噪声将达到最大。

　　当两个导体并联时，在给定互感M下，以角频率ω = 2πf载送电流I2，均方根感应电压Vn为：

　　Vn = ωMI2 (2)

　　图10. 流经电缆屏蔽体的电流引起的磁噪声。

　　图10显示了运用此关系的情形，并说明仅将屏蔽体一端接地的原因。使用100英尺屏蔽电缆，将高电平低阻抗信号(10V)载送至12位数据采集系统(1 LSB = 2.4 mV)。屏蔽体每

　　英尺串联电阻为0.01欧姆，与导体的互感为0.6μH/英尺，源极和目的地均已接地。两个接地点间在60 Hz时存在1 V电位，使1安培电流流入1欧姆的屏蔽体总电阻。根据公式

　　(2)，导体内的感应噪声电压为：

　　Vn=(2π×0.6×10-6H)(1 A)=23 mV,

　　即10 LSB，从而将系统有效分辨率降低至9位以下。由于屏蔽体两端均接地，流入屏蔽体的大电流是产生该噪声电压的直接原因。而且，接地点间的1伏特电位只是保守假设!在重工业环境中，接地间电位达10至50伏特都不罕见。

　　电力线瞬变

另一类系统噪声是感性电路(例如继电器、电磁阀和电机)开启和关闭时由高压瞬变产生的噪声。当具有高自感的器件关闭时，塌缩磁场可在电力线上产生