基于SCR结构的纳米工艺ESD防护器件研究

R的维持电压要高的多，维持电压的提高从0.3V至1v不等。

　　采用TCAD仿真分析，可以看到增加了浮空N阱后LVTSCR内触发电流的流向。因为在浮空N阱与 P型衬底之间会形成反型层隔绝电流经过，所以流经此处的电流必须饶果果浮空N阱的底部从阳极流向阴极，即电流路径被人为地延长了，这也是为什么增加浮空N 阱能够有效增加基区宽度，提高维持电压的原因。