系统级ESD电路保护设计考虑因素

发生时接地。在双向 TVS 情况下，只要 D1 和 D2 都不进入其击穿区域，I/O 线路电压信号会在接地电压上下摆动。当 ESD 电击（正或者负）击中 I/O 线路时，一个二极管变为正向偏置，而另一个击穿，从而形成一条通路，ESD 能量立即沿这条通路接地。在单向 TVS 情况下，只要 D2 和 Z1 都不进入其击穿区域，则电压信号会在接地电压以上摆动。当正ESD电击击中I/O线路时，D1变为正向偏置，而Z1 先于 D2 进入其击穿区域；通过 D1 和 Z1 形成一条接地通路，从而让 ESD 能量得到耗散。当发生负 ESD 事件时，D2 变为正向偏置，ESD能量通过 D2接地通路得到耗散。由于 D1 和 D2 尺寸可以更孝寄生电容更少，单向二极管可用于许多高速应用；D1 和 D2 可以“隐藏”更大的齐纳二极管 Z1（大尺寸的原因是处理击穿区域更多的电流）。

　　图 3 双向和单向 TVS